Способ формирования пленки нитрида кремния

 

Изобретение относится к технологии обработки и производству сверхбольших интегральных схем. Оно может быть использовано для плазменного осаждения пленки нитрида кремния. Целью изобретения является повышение качества пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений. Цель достигается тем, что после осаждения пленки нитрида кремния толщиной 50-200 нм проводят дополнительную обработку в плазме аммиака в течение 2-10 мин, затем осаждают пленку до заданной толщины при первоначальных условиях. Осаждение пленки нитрида кремния проводят в плазме смеси моносилана (1 ч), аммиака (4-8 г), азота (15-50 г) при плотности мощности 30-60 мВт/см2. 1 табл. ел С

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st)s Н 01 1 21/318

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4790823/25 (22) 13.02.90 (46) 07;03.92. Бюл. М 9 (71) Научно-производственное объединение

"Интеграл" (72) А.С.Турцевич, В.Я.Красницкий,.

В.Ф;Петрашкевич, Г.А.Химко, Г.А.Корешков и 0.3.Сарычев (53) 621.382(088.8) (56) Rosier S;, Engle G. LPCVD — Турс. Plasma

enhanced deposition System.,Sol. State

Technol. 1979, v.22, р. 88-92.

Vallled 1. Preparation and chaiacterisatlon of plasma chemical vapor

deposeted silicon nltrldej and oxynltrlde

films. J. Vac. Sci and Technology 1987, hb4, р. 1675-1679. (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ. ПЛЕНКИ

НИТРИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технологии " электронной техники, в частности ктехнологии осаждения пленки нитрида кремния хи-. мическим осаждением из газовой фазы ,активированной плазмы и может быть использовано для создания межуровневого диэлектрика и пассивирующих покрытий. при изготовлении сверхбольших интеграль.ных схем.

Для создания СБИС необходима новаЮ технологическая база, характеризующаяся разработкой низкотемпературных процес- . сов наряду с созданием прецизионных методов литографии, травления, Повышение качества осажденных пленок достигается за счет повышения их электрической прочности, снижения дефектности, повышения

„„5U„„1718302 А1 (57) Изобретение относится к технологии обработки и производству сверхбольших инTerðàëьных схем. Оно может быть использовано для плазменного осаждения пленки нитрида кремния. Целью изобретения является повышение качества пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений. Цель достигается тем, что после осаждения пленки нитрида кремния толщиной 50-200 нм проводят дополнительную обработку в плазме аммиака в течение 2-10 мин, затем осаждают пленку до заданной толщины при первоначальных условиях. Осаждение пленки нитрида кремния проводят в плазме смеси моносилана (1 .7 ч), аммиака (4 — 8 r), азота (15 — 5О r) при плотности мощности 30 — 60 мВт/см . 1 табл.

2 стабильности свойств диэлектриков для обеспечения высокого выхода годных кристаллов и воспроизводимых параметров элементов с субмикронными размерами.

Известен способ осаждения пленки нитрида кремния, включающий размещение кремниевых подложек с активными и пассивными элементами в реакторе, откачку реактора до необходимого остаточного давления; нагрев подложек до 360 С в потоке инертного газа, зачистку поверхности подложек в плазме инертного газа, вакуумирование реактора, введение в реактор смеси моносилана .С аммиаком при соотношении ингредиентов 1: (5,1 — 8,2) в плазме ВЧ-разряда с частотой 450кГЦ при

1718302 плотности мощности 20 мВт/см при пони- женном давлении.

Данному способу присущи следующие недостатки: высокое содержание водорода в осаженной пленке нитрида кремния, ибо осаждение проводится при частоте 450 кГц при соотношении Оз н,/Оин, = 1:(5,1-8,2): трудность управления свойствами пленки и уровнем механических напряжений в них из-за того, что в системе с емкостным разрядом при изменении соотношения ингредиентов происходит изменение емкости и плотности мощности, а также высока чувствительность к флуктуациям процесса; из-за различия в энергии диссоциации моносилана и аммиака происходит формирование. подслоя нитрида кремния с аномально большой концентрацией кремния, что обуславливает повышение дефектности пленки, снижение ее электрической прочности и возрастание механических напряжений, их стабильность по величине, а также ухудшение их зарядовых характеристик. Данные недостатки не позволяют использовать способ осаждения пленки нитрида кремния химическим осаждением из газовой фазы активированной плазмы при изготовлении сверхбольших интегральных схем.

Наиболее близким по технической сущности является способ осаждения пленки нитрида кремния, включающий размещение кремниевых подложек со сформированными активными и пассивными элементами в реакторе, откачку реактора до необходимого остаточного давления, нагрев подложек до 250-380 С в потоке инертного газа, зачистку поверхности подложек в плазме инертного газа, вакуумирование реактора, введение в реактор смеси моносилана с аммиаком при соотношении ингредиентов 1(5.8: 7,3) и осаждение пленки нитрида кремния в плазме ВЧ-разряда с частотой 40 кГц при плотности мощности 30-60 мВт/см при пониженном давлении, Однако известный способ не лишен недостатков, Высокая -чувствительность сис темы с емкостным разрядом к соотношению ингредиентов из-за сопуствующего изменения емкости и плотности мощности обуславливает сложность управления свойствами пленки при высокой чувствительности характеристик пленок к флуктуациям процесса осаждения. Относительно высокое содержание водорода в осажденных пленках нитрида кремния из-за того, что осаждение проводится в системе SIH4-ЙНз, обуславливает снижение качества пленок.

Из-за того, что энергия диссоциации моносилана ниже. чем аммиака (3,1 и 3,6 эВ соответственно) происходит формирование

55 подслоя нитрида кремния с аномально большой концентрацией кремния, который определяет механические свойства системы, способствует повышению дефектности пленки нитрида кремния и снижению ее электрической прочности. Обогащение кремнием слои рыхлые, содержат большое количество дефектов, таких как оборванные

SI-связи, SI-SI-связи, группы SI-H, образующих локализованные состояния в запрещенной зоне и играющих роль ловушечных и/или рекомбинационных центров в нитриде кремния, что приводит к ухудшению диэлектрических свойств: увеличению пористости, токов утечки, снижению пробивного напряжения, ухудшению зарядовых характеристик. Неоднородность пленки плазмохимического нитрида кремния по глубине за счет образования обогащенного кремнием подслоя существенно влияет на электрические свойства пленки и их механические напряжения, Недостатки ограничивают использование известного способа осаждения пленки нитрида кремния при изготовлении сверхбольших интегральных схем.

Целью изобретения является повышение качества пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений.

Согласно способу осаждения пленки нитрида кремния, включающему размещение кремниевых подложек со сформированными активными и пассивными элементами в реакторе, откачку реактора до необходимого остаточного давления, нагрев подложек до 250-380 С в потоке инертного газа; зачистку поверхности подложек в плазме инертного газа, вакуумирование реактора, введение в реактор смеси моносилана с аммиаком и осаждение пленки нитрида кремния заданной толщины в плазме

ВЧ-разряда при плотности мощности 30-60

МВт/см при пониженном давлении. обработку подложек в плазме аммиака, дополнительно к смеси моносилана с аммиаком в реактор вводят азот при соотношении ингредиентов 1:(4-8): (15-50) и осаждают подслой нитрида кремния толщиной 50 — 200 нм, прекращают подачу моносилана с азотом, затем проводят обработку подслоя в аммиаке в течение 2-10 мин при плотности мощности 30-60 мВт/см и давлении 33-120 Пе, после чего доращивают пленку нитрида кремния до заданной толщины из смеси моносилан — аммиак — азот при соотношении ингредиентов 1; (4-8): (15-50), 1718302

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что дополнительно к смеси моносилана с аммиаком в реактор вводят азот при соотношении ингредиентов 1; (48): (15-50) и осаждают подслой нитрида 5 кремния толщиной 50-200 нм, прекращают подачу моносилана с азотом, затем проводят обработку йодслоя в аммиаке в течение

2-10 мин при плотности мощности.30-60 мВт/см и давлении 33-120 Па, после чего 10 доращивают пленку нитрида кремния до заданной тоЛщины из смеси моносилан — аммиак — азот при соотношении ингредиентов

1:(4-8): (15-50).

-При осаждении пленки нитрида крем- 15 ния в плазме ВЧ-разряда в смеси моносилан — азот необходимы соотношения ингредиентов больше или равные 10 — 10

2 .3 для обеспечения большого избытка азота с целью избежания образования обогащен-. 20 ной кремнием пленки, так как энергия диссоциации азота в трое больше энергии диссоциации ИНз и составляет 9,83 эВ. При этом из-за высокого суммарного потока реагентов. необходимости использования 25 плотностей мощности 0,8 — 1,2 Вт/см укаг занный процесс невозможно осуществить в промышленном горизонтальном трубчатом реакторе с емкостным возбуждением плазмы и осаждение пленок осуществляется .в 30 лабораторных реакторах, что обуславливает практическую невозможность использования данной смеси для серийного изготовления плазменной пленки нитрида кремния.

Кроме того, из-за высоких плотностей мощ- 35 ности плазмы наблюдается сильная деградация характеристик МДП-структур, тонких диэлектрических пленок из-за радиационных. повреждений, что обуславливает снижение выхода годных и неприменимость 40 способа при производстве сверхбольших интегральных схем.

Повышение качества пленки нитрида кремния, осаждаемой в плазме ВЧ-разряда, обусловлено .следующим: так как сначала 45 осаждают подслой нитрида кремния из смеси SiH4 — ННз — N2 при соотношении ингредиентов. 1: (4-8); (15-50), обеспечивается снижение чувствительности системы с емкостным разрядом к изменению содержа- 50 ния SiH4 и МНз в смеси, что обуславливает снижение чувствительности к флуктуациям процесса осаждения, повышение воспроизводимости зарядовых характеристик пленок, снижается концентрация водорода в 55 осаждаемой пленке из-за бомбардировки. поверхности подложки ионами азота и нейтральным азотом, что облегчает элимирование водорода и способствует снижению концентрации дефектав типа Si-Si-связей, оборванных связей, а также повышению - плотности пленок.

Обработка подслоя толщиной 50-200 нм в аммиаке в течение 2-10 мин при плот2 ° ности мощности 30-60 мВт/см и давлении

33-120 Па позволяет провести насыщение оборванных связей азотом и сократить количество нестабильных SIH,- Si-Si- связей в подслое. Адсорбция азотсодержащих радикалов происходит в первую очередь по порам, как по активным центрам, с образованием Si-N-связей с эффективным уменьшением Sl — SI и оборванных связей.

При этом уменьшается количество избыточного кремния, Si-Si u SIH-связей, увеличение плотности пленок, что приводит к улучшению качества пленки нитрида кремния, улучшению зарядовых характеристик, снижению дефектности при уменьшении механических напряжений. Затем доращивают пленку до заданной толщины при отношении ингредиентов (SIH4-ИНз-йг) как при осаждении подслоя. При этом происходит закупорка пор, что обуславливаетувеличение электрической прочности и снижение дефектности.

Выбор режима и толщины при формировании подслоя нитрида кремния, режимов обработки в аммиаке и доращивание пленки до заданной толщины сделан на основании экспериментальных результатов, При толщине подслоя менее 50 нм условия процесса нестационарные и свойства пленок .нитрида кремния нестабильны. Обработка подслоя данной толщины в аммиаке не позволяет существенно уменьшить уровень механических напряжений в пленках и улучшить их зарядовые характеристики, что обуславливает снижение качества нитрида кремния. При толщине подслоя более 200 нм не удается провести выравнивание свойств пленки по всей толщине, т.е. примыкающий к подложке слой обогащен

Si, следовательно, ухудшаются диэлектрические свойства: снижается электрическая прочность (уменьшаются пробивные напряжения), ухудшаются зарядовые характеристики при повышенных механических напряжениях. В конечном итоге указанные пленки характеризуются низким качеством.

При осаждении подслоя из смеси SIH4—

МНз — N2 при соотношении меньше, чем 1:

4; 15, наблюдается осаждение пленок с повышенным содержанием оборванных Slсвязей, Si — Si-связей, ухудшение диэлектрических свойств. ухудшение зарядовых характеристик и. следовательно, снижение качества пленки нитрида кремния.

При осаждении подслоя из смеси SiH4—

ЙНз — йг при соотношении более 1: 8: 50

1718302 из-за увеличения суммарного потока ухудшается стабильность работы вакуумной системы, происходит увеличение привносимой дефектности, ухудшается качество пленки нитрида кремния.

При обработке подслоя в плазме аммиака в течение менее 2 мин, плотности мощности менее 30 м Вт/см и давлении менее 30 Па не происходит полное залечивание оборванных

Si-связей, уменьшение Sl-й-связей, что обуславливает увеличение дефектности, снижение пробивных напряжений при повышенных механических напряжениях и ухудшение зарядовых характеристик.

При обработке подслоя в плазме аммиака в течение более 10 мин, в плотности мощности более 60 мВт/см и давлении более 120 Па не происходит дальнейшего качества пленок нитрида кремния. Наоборот. увеличение давления способствует ухудшению десорбции водорода и эарчдовых характеристик.

При дорэщивании слоя из смеси SiH4—

КНз — N2 при соотношении меньше, чем 1:

4: 15, наблюдается снижение электрической прочности и ухудшение зарядовых характеристик из-за повышения чувствительности к флуктуациям процесса осаждения и увеличения Si — оборванных связей, При доращивании слоя из смеси SIH4—

ИНз — Nz при соотношении 1: 8: 50 из-эа увеличения суммарного потока реагентов ухудшается стабильность работы вакуумной системы, происходит увеличение привносимой дефектности и ухудшается качество пленки, Например, осаждение пленки плазмохимического нитрида кремния осуществляют на установке Лада-32 с горизонтальным трубчатым реактором и горячими стенками и вводом мощности сзади. Используют ва. куумный агрегат RSV — 500(Фа!запзе1). Величину давления поддерживают путем подачи регулируемого потока азота на вход насоса.

В таблице представлены примеры осуществления способа осаждения пленки нитрида кремния.

Электродная система состоит из шести графитовых электродов. Электроды объеди. нены через один и подключены к генератору плазмы с частотой 40 кГц (примеры 1-22 и

45) и 465 кГц (примеры 23-44 и 46). Соседние графитовые пластины изолированы одна от другой при помощи керамических изоляторов. Подложки, прошедшие цикл изготовления кристалла К56РУ5 до блока формирования пассивации, крепятся к электродам при помощи штырьков с использованием пинцета. Суммарный поток газовой смеси не превышает 2500 см /мин. Температура осаждения пленки во всех примерах составляет 300 2 С, Количество одновременно обрабатываемых пластин в зависимости от используемой многоэлектродной системы нодложкодержателя изменяется в пределах

40 — 80 шт. диаметром 100 мм. Толщина плен10 ки нитрида кремния составляет 0,4 мкм, Осаждение пленки нитрида кремния осуществляют при пониженном давлении (примеры 1 — 11 и 23 — 33 при давлении 99 Па, а примеры 12 — 22 и 34 — 44 при давлении 225

15 Па), Конструктивно генератор позволяет осуществлять управление мощностью при помощи микропроцессора в диапазоне 2580 мВт/см . Конструкция реактора позволяет осуществлять его встроенную

20 самоочистку и подачу реагентов спереди и со стороны откачки. Используют азот электронного класса чистоты, моносилэн — концентрат ТУ 6 — 02-1163 — 79, жидкий аммиак особой чистоты ТУ 113 — 17 — 27 — 515 — 89.

25 Процесс включает загрузку подложек на графитовые электроды и размещение их в реакторе, откачку реактора до остаточного давления не более 13,3 Па, нагрев подложек в потоке аргона или азота, зачистку поверх30 ности подложек в плазме азота (аргона), откачку — вакуумирование реактора, плавное увеличение потока Nz, ИНз, SiH4 и их стабилизацию, включение генератора и осаждение подслоя нитрида кремния (в примере, 35 соответствующем известному, всей пленки нитрида кремния), прекращение подачи И, SiH< и обработку подложек в плазме, плавное увеличение потока Ng, SlH4, их стабилизацию и доращивание пленки до заданной

40 толщины, обработку пленки в плазме аммиака, одинаковую для всех процессов осаждения, откачку, продувку реактора азотом, прекращение откачки и напуск реактора азотом до атмосферного давления и выгруз45 ку подложек с осажденной пленкой кремния.

Толщина осаждаемой пленки составляет 0,4 м м. Толщина пленки определяется неразрушающим способом при помощи

50 прибора MPV-$Р(Ф Leits).

Исследование распределения SiN no толщине пленки нитрида кремния проводят методом резерфордовского обратного рассеяния. Для анализа используются ионы

55 Не+ с энергией 1,5-2,0 МэВ. Энергия обратно рассеянных ионов регистрируется полупроводниковым поверхностно-барьерным детектором с энергетическим разрешением

11,9 кэВ. Энергетическое разрешение спектрометрического тракта составляет 17 кэВ.

1718302

Амплитудный анализ импульсов проводится многоканальным анализатором с встроенным регистраторам лмпульсов.

Относительные концентрации элементов определяются с точностью расчета 2,5ф,. Элек- 5 трическая прочность определяется по формуле пр

Епр = — (- i о

10 где Š— напряженность пробоя. характеризующая электрическую прочность:

Un@ — пробивное напряжение;

- d — толщина пленки нитрида кремния, 15

Показатель преломления определяется при помощи лазерного эллипсометра, плотность дефектов — при напряженности поля

5 мВ/см по формуле

20 — (и (I — — ) и

D= — — — —, и 25 где t - — — даля годных структур, не пробиN тых при данной напряженности поля:

n — количество пробитых конденсаторов;

N — количество измеренных конденса- 30 торов:

S — площадь тестовой структуры.

Площадь тестовой структуры для контроля дефектности составляет 16 мм . Меха- 35

2 нические напряжения о (МПа) измеряют при помощи рентгеновского дифрактометра типа Дрон 1,5, плотность поверхностных состояний N» (cM-2) — при помощи системы

4061 А, Прирост привносимых дефектов 40 (Лотн.ед.) определяют при помощи прибора

Surfcanl — 4500 как разницу между количеством частиц размером более 0,5 мкм после осаждения и на исходных подложках диаметром 100 Фм и нормируют к приросту при- 45 вносимых дефектов для известного способа.

Примеры 1 — 3, 12 — 14, 23 — 25 и 34-36 в таблице иллюстрируют предлагаемый способ осаждения пленки нитрида кремния. В 50 примерах 4-11, 15-22. 26-33, 37-44 технологические параметры при осаждении подслоя, его обработке в аммиаке и при доращивании пленки до заданной толщины выходят за пределы, указанные в предлага- 55 емом способе. В примере 45 и 46 приведены результаты известного способа, Результаты, приведенные в таблиЦе ïîказывают, что предлагаемый способ(примеры 1--3, 12-14. 23 25 и 34-36) позволяет повысить качество пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снлжения дефектности и механических напряжений. При этом электрическая прочность возрастает в 1.3-2,8 раз, плотность поверхностных состояний уменьшается в

3,0-4,4 раз, плотность дефектов уменьшается в 1.9 раэ, а механические напряжения — в

3,2 р, Из таблицы очевидна нецелесообразность использования способа осаждения пленКи нитрида кремния, при реализации которого технологические режимы при формировании подслоя, его обработке в аммиаке и доращивании пленки до заданной толщины выходят за предлагаемые пределы. 8 примерах 45 и 46 (известный) напряженность пробоя составляет 7,2 (7,8)

MB/см, плотность поверхностных состояний 7,2 (7,8) . 1011 см плотность дефектов

-г, 0,35 (0,38) см 2, величина механических напряжений 2,56-(2,85) МПа.

Полученные результаты свидетельствуют, чта по сравнению с известным предлагаемый способ позволяет повысить качество пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений.

При этом электрическая прочность возрастает в 1,3--2,8 р, плотность поверхностных состояний уменьшается в 3,0 — 4,4 раз, плотность дефектов уменьшается в 1,9 раз, а механические напряжения в 3 раза.

Формула изобретения

Способ формирования пленки нитрида кремния, включающий размещение кремниевых подложек со сформированными структурами в реакторе, откачку реактора, нагрев подложек до 250 — 380 С в потоке инертного газа, зачистку подложек в плазме инертного газа, осаждение пленки нитрида кремния в плазме смеси моносилана с аммиаком при плотности мощности 30-60 мВт/см, обра2 ботку пленок в плазме аммиака, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения качества пленки за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений, в плазмообразующую смесь моносилана с аммиакомдобавляют азот., процесс осаждения проводят nðè рабочем давлении 70-266 Па и соотношении компонентов в смеси моносилана - 1 часть аммиака — 4 — 8 частей азота „5-50

1718302

2-10 мин при плотности мощности 30-60 мВт(см рабочем давлении 33 — 120 Па, после чего продолжают осаждение пленки нитрида кремния до заданной толщины при первоначальных условиях, 14

1 И 8302

13 е

1 Л

I С»

СЧ л л в о о и\

СО Л СО о о о

О Ъ л л в о о а. а

1 лсо в о о о о м л л

° в о ь л о л л л

o O О

CO 1

О О л- л с о о о

1

1

I СЧ ! +

I

1 со а о с ° с

N СЧ сЧ м

+I +I Чб +I +!

I

1 сЧ

СО

1 о

1 л м а

CO CO CO CO CO

° в о о î o o иъ м

OL ОЪ CFL с «с о о о

CO 1» в а о о

CO 0Ъ с с о о

1

1 LA

1 Ф

1 б О

LA ъо ССЪ сч — — Oa 0ъ ь о а Ф N а

-б еО Ln О СЧ

СеЪ М

Ф 0Ъ

О О сО м

О а

О ъо lA е в чб

О в ° а с

1

1 СЧ

1 сЧ

I О

1

1 !

I

1

i o

1

1 М

I ъо LA м а

N СЧ Сч СЧ с с о о о о се 1 СеЪ N 0Ъ

СЧ СЧ СЧ СЧ а °

О О О О О ео иб

СЧ N а

О О

СО

N М о

СЧ СЧ СЧ

О О О

СЧ СЧ

СЧ СЧ

О O

lA СО О сЧ N М в о о о

Сч N ев с о о а т о о о а

О ео Ф a» cO

° с с

0 IA м -»

° е о о и\ о

СЧ LA

О

О ео ъО

- и Ln

О ч»

0Ъ

СЧ ее о ь о е ° °

Сб

Ф ° lA СЧ с .» м со сч о о о

О

СеЪ М ее о ° c»

LA eс

an F» CO иъ сч в

Л СО о о

С»

СЧ сч

ЪС С» ер о о о

° Ъ» о

М CO a» CF\ с с .Ф СО .О\ СО еС э о

О

1Ф

О lA

0Ъ в °

0Ъ СО 0 Ъ

1

11

1 О

I

I c

Ф 1 с !

5 с

I ILI CO

° с» о а в

° а

° Сч

LC aa о

aCL о еФ о

LA л

Ю о

l l» l еД

О О О о

О е» ЪС о . о иъ

0ъ л

l о о сч л

CO Ф

1

1 !С

I ф а о

Z 1

О.

С 1

З 1 Cl аб

I I Ф

Ф 1 Х

X 1а!3

CC 1 l6 с i а

1 IO

e i O

Y iN

2 z х i о о

I a

I ЦЪ0 о. с

I

1 1 I

1 Ф Z э z о

I Z Ф

an о а а О а о о о!

Ф

z сб;

Ф и о о а

О а м

С»

О И О О О

СЧ СЧ N СЧ о o o

СЧ СЧ

an o о о

С СЧ С»

СЧ

P а

° \

° °

1-хао

OZ a-I-Iе-—

1

1 С

Z cC

za= б Сбе

О О О CCL O

0Ъ Сп О\ ССЪ ОЪ о о о

0Ъ Сч Ch о о

О\ СЧ

o isa сп м о о о

0Ъ ОЪ CFL ь о а

Ъ 0Ъ

1 СеЪ

1 СеЪ

1

1 О

1 М

1

1 сс

a aO

1 Е».

1 II С»

Ф 1 х г

5 б Z

Zi CaZ

u z 1 СЧ

CC 1 1

"1

1 0CI 1

СС С 1

1 1

i 1 1 Z

Ф*Ф

azz о

1 Z Ф Ф Ф

I- zca

О * С. б-!

1 °

1 с Z

1 б» Y о в м .

LA с а an аА в а сч an а о в

I !

1 а

I а»

1 ° °

1 .ф

I ° °

1

i o

l Ln б

1

1 О

1 В

1

1

1 ЫЪ в о

° е

° е

° lA

an а о о

N сЧ

О о а î сч о о о

LA в о сч а о в

С»

° е м

° ° о о о

СЧ N СЧ а а а о о сч и\

lA LA

° е

° °

° ° е ° о о о

C4:Сч Сч о ь

an сч о о о

N N N о о

Сч N а о

СЧ N

СЧ о о о о а

СЧ LA СЧ С» С Ъ

СЧ о

СЧ щ Ln

С"Ъ СЧ N

СЧ ° о о сч о сЧ

1 CC и 1- s сС оба 1- Х

z а с 2 м

СЧ сЧ

O N

СЧ СЧ СЧ

I

1

1

1

1 !

1

1

1

1

I

1

1

1

1 (1

1

1

1

1 !

1

1

1

1

I

1

1

1

1

I !

1 ! б

1

1

1

1

1

1

1 б !

1

1

1

1

I

1

1

1

1

1

1

1

1 .1

1

1 !

1

1

1 б

IC 1 аф .Х 1 Ф

°

М I

Ф I

Ct 1 и 1 в аб Оае

I 1

Z I

Z 1

1 ф I а

Ф i

Кб б» I о e

Ю I М ! !.

Ф б

У 1

Ф 1 Ю ( аб o z

Ф i u

I- 1

Х 1

l аб

CC 1 .x ! в 1 а

CI cC

CL 1 Ca I

I- I ИX

s i o

Z I

Ф 1 а

ССЪ» со а о м в в

N СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ Сч СЕЪ СЕЪ СЧ СЧ СЧ Сч СЧ N

+I +I +! +I .+I +i +1 +I +! +!. +! +1 Н +! +1 +I, +1

СЧ ъо сч . co an м N ч»

CO Ф СО CO СО СО Cd С. 0Ъ 0Ъ 0Ъ CO CO в в с с

"О О О О О О О О О О О О О!

A IA a LA LA О LA О а LA LA LA lA

Чб -» -С =Г -З М -.Г О -т сЧ Ч» -».

1718302

1

3

t ЛЛ(.

) ° а ° а

О О О О О

I

0 cO an сч сч м л (- л Ф л (. с..

a a a а а а о о о о о о о л tz

) ОЪ

Л Л t» 00

4 ««а о î о о ь о а л л а ° о о л с а а о о

1 с) е

1 а а сч м м м сч

+! +3 +1 +1 +I

1

° 0.

CO а о иъ -- иъ Оъ е со

ОЪ О ОЪ СО В CO СО СО а а а

О 4» О О О О О О

CO C4I о а а а

Cl

)41

C4I Ъо ОЪ М С0 СЧ

CFl cFa л и\ 4а а а a °, а

О О ъо и\ а Ф а

СЧ СЧ

М LA Ф Ф

СЧ СЧ 4 CV

ЪО О\

ОЪ а а

С. б 4» аА 00

CV CV 4м сч cFL

a ° о а а а а а а

3 сб

IZ

О

)I

1. ф

) C4I о

I, 3

)I иъ 00

СЧ CV о о сп 40 сс LA с ъ co LA

СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ М С Ъ а a a a a a a a о о о о о о о о

43 00 СО Ъо 0 tA -О М

С«3 СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ СЧ с 4 СЧ а а а а a a а а а

ОCDО О О.ОООО

Сб

° 1 а X сб

СЧ СЧ

° а о о е

ФФ ю о о о

° ° а

»Ф о о

4« т о о о

О 4

Ф о о о . aA

ОЪ» 00 ФО а а л ср

CI

О а»

Ч)

00 с Ъ а а .з м о

Cn m а °

00 ОЪ о о

tD со л

a a

CO «)С а

Фс(СФ!

40 сЧ сЧ 40 ОЪ а а а ° сч сч а л а а

ОЪ 00

° 44 а сЧ

ОЪ СО (» а а а аА СЧ 0

М LA а

m м

,L о ч ч о о

CO с) а а сО ч о

О

ЪО а Оъ а а

ОЪ Ф

Ч 40 ч о о о о т 1 ч ю о о, о о 4l 40 о о

4» Ч о и\ °

ОЪ О\ О\ ч о

М\

ОЪ ч о о

ЪО а

ОЪ

° э ч о о ч о

co a а со л со

C о

)Ф

1

3 °

СЧ Ф л

C4t ЪО а а

ОЪ 0 Ъ

Д а а

ОЪ CO

1 (!

1

1

1

1

1

I

I

1

t

I

1 а а

343 lO

1 а (0«Щ

I Р«С

1 аА

СЧ

СЧ

1 1 I

Z I o

)ezal (lh

azz о СС

I и Э 4l Ф )

iхао1

О)4 i I- I

t °, 1 l сс 1 ! ZcQ I

Z(=, о

1 С(4

C4(1

Ф о о а о о

СЧ t СЧ СЧ

° ° а о о СЧ CD

C4t °

° . а а м о о

СЧ СЧ

О CI

CV CV о о

C4) IN о о

СЧ СЧ а а а а

° » о ° ° а

Z

CQ

z о а а а а

° °

° Ф а м о

I 1 СС

l 1

) 1

1 б с

3 1

3 X 1 Ф

1 Ct l

I I» 1 Э

1 ф I Х

I C0 I (О

1 C 1 О

1 I (О

I Ф I О

И 3 о(с

I C 3

2, zz

ICr Z

1 Ф I Э (1-! Д

1 I (0 о

О о о о о

ОЪ ОЪ ОЪ ОЪ о о

О\ ОЪ а а

C4t СЧ

CV

СЧ

1 сб 1

° 5

1 g». ).О

3 0

I СО 3

C0 I аа!

oz о ф 1

Ф

I I

1 а (1 Ф Щ

I 0«С I о

С41 а

ОЪ

З

CL

Ф а о

an а иъ an

О.

Х ба б о

)I 1 (б (аА ф 30 1 аО ) L I- 3

l о о

t

1 an! СЧ

1 l I

e z

1 g Z

I Z ф

1- z 3 O Z

1 а

I 45

lA о о î an

CI иъ иъ с ъ

lA р о о о о а о

Cl о а

СЧ

° . а

Э

z, Z.

Р

Э

X а о о

N СЧ иъ а

CI иъ сЧ а о

СЧ СЧ

° Ф ° а а

° 4 с

О 4D

cV СЧ о о

N C4I о о о

СЧ CII СЧ о о сЧ СЧ о о

СЧ IN

aA lA м СЧ (Ч о о о î lh a сч а 341 CD m c4

СЧ CV

I б (0

aJI- a

1 l5 Ol ! ".т б- х

3 1

z а (с2

ОЪ CD

М -3. м -0 а 40 л Ф

m м m m m m (» CO ОЪ

СЧ СЧ N СЧ

О СЧ с«ъ м m 1

С)Ъ б 3

=1J ф ) 5I (б,б а 3

Х 3 б 1 фб (5! 1 tt I 1 *3

Х!а!

Э 3 )

OI Z I

Cf,1 )С 3 б I

О 3 1 (0 I, I LtI б (-(1 ф 1

3. У 1

I l5 1

1 Х

I I

1 Ф I

)3 I

I z 1 а! ! Э I

1 1- I х )

1 ф

Ca I ! Я 3

1 I

I ° 1 б З 1

O. I

1 l

I Э 1

3 X 1

I Ф I а

1 IO I

1 С= 1

1 3

l. I .1 1

I 1

1 l

1 1

l I

3 б 1

1 3

l 1

1 1

1 1

1 1

ЪО ° О -О ъо а а а а а сч сч сч cv сч сч сч m m m сч сч cv сч сч -0

+1 +1 +1 +I +1 tl +l Н +I Н +1 +t +I Н +I Н Н а -з а Оъ т со м м а

CFl Сб ОЪ 00 СО CO CO CO CO CO Ф а a a a a a ° a a a a

О а О О О О О О О О О

О Р lh а О D О О м О О

О\ ch сч C4(сп Оъ 0 ъ оъ м Оъ сч аА и\ LA lA tA lA а а О LA О LA LA LA LA иЪ LA LA an .т СЧ ЪО .а -) .т СГ СЪ,О- О -а СЧ О -) -т -т