Способ повышения оптического пропускания кристаллов хлорида свинца

 

Использование: в области исследования точечных дефектов в кристалле хлорида свинца. Способ включает механическую обработку кристалла по направлению распространения светового потока до заданной толщины и облучение их световым потоком УФ-части спектра до флюенса (3,8 ±0,7) 105 Эрг/мм2. Пропускание в области УФ спектра (180-300) нм увеличено на 10-15%. Уменьшены потери области при их изготовлении за счет увеличения толщины образцов на 10-15%. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4927389/26 (22) 29.03.91 (46) 23.05.93. Бюл. гв 19 (71) Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова (72) Г.В.Бережкова, fl.Ï.ÏåðñòíåB и Е.Н.Васев (56) M.Áîðí, Э.Вольф. Основы оптики, издво Наука, М, 1973, с. 127-130.

ПДЛлексеев. Электронные и И К-спектры мон.кристаллов МаС1-ОН до и после гамма- облучения. ж, Оптика и спектроскопия, 1986, т. 60, вып. 3, Изобретение относится к способам повышения пропускания оптических сред, может быть использовано для уменьшения оптической плотности в УФ-части спектра кристаллов хлорида свинца с целью контроля и исследования электронных и дырочных точечных дефектов этих кристаллов.

Целью настоящего изобретения является увеличение оптического пропускания кристаллов хлорида свинца в УФ-части спектра (180 — 300 нм).

Данная цель достигается способом повышения оптического пропускания кристаллов хлорида свинца, по которому кристалл предварительно облучают УФ-излучением до флюенса (3,8 +0,7) 105 Эрг мм .

Способ основан на том, что при облучении этих кристаллов световым потоком УФчасти спектра оптическое поглощение образцов в УФ-части спектра (длины волн

180 — 300 нм) при определенном поглощен» Я2 1816815А1 (зм)5 С 30 В 33/04, 29/12 (54) СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ПРОПУСКАНИЯ ХЛОРИДЛ СВИНЦА (57) Использование: в области исследования точечных дефектов в кристалле хлорида свинца. Способ включает механическую обработку кристалла по направлению распространения светового потока до заданной толщины и облучение их световым потоком

УФ-части спектра до флюенса (3,8 +О,7) 10

Эрг/мм, Пропускание в области УФ спектра (180 — 300) нм увеличено на 10-15%.

Уменьшены потери области при их изготовлении за счет увеличения толщины образцов на 10 — 15%. 2 ил. ном световом потоке (флюенсе) уменьшается на 11-15%, а при дальнейшем облучении кристаллов их поглощение не меняется, Причем это просветление сохраняется длительное время, по крайней мере в течение года в нормальных условиях.

Для пояснения изобретения ниже приводятся рисунки, на которых: фиг. 1 изображает спектры поглощения кристалла хлорида свинца, где 1, 2, 3 — спектры поглощения исходного образца, и после его облучения световым потоком УФ-части спектра мощностью 2,5 10 Эрг/с мм в течение з

2,5 и 100 мин, соответственно, фиг, 2 изображает зависимости относительного уменьшения оптической плотности кристаг;ла хлорида свинца(в процентах) or времени облучения УФ-потоком на длине волны 280 нм- кривая 4 и одновременного увеличения оптической плотности этого кристалла на длине волны 450 нм кривая 5.

1816815

Предлагаемый способ работает следующим образом. Берется кристалл хлорида свинца, обработанный механически по способу прототипа. Спектр поглощения этого образца показан на фиг. 1 кривая 1. Кристалл облучается световым потоком УФ-части спектра до указанного в формуле изобретения флюенса. После такой обработки пропускание этого образца в УФ-области спектра возрастает на 11-157, Спектр поглощения обработанного световым потоком кристалла показан на фиг. 1, кривая 2. Далее этот образец используют для практических целей в УФ-части спектра, Одним из достоинств предлагаемого способа является то, что толщину кристаллов хлорида свинца не доводят до минимальной величины, при которой механические свойства образцов резко ухудшаются. За счет увеличения пропускания образцов после их обработки по заявляемому способу толщину кристаллов можно увеличивать на 11-15$, поэтому механические свойства образцов повышаются. Кристалл становится более устойчивым к внешним механическим воздействиям.

При облучении кристаллов хлорида свинца флюенсом УФ-излучения большим 3,8 10

Эргlмм пропускание образца в УФ-части спектра не изменяется, а в видимом и ближнем ИК-диапазонах спектра поглощение образца возрастает (см. фиг. 1, длины волн

315-800 нм), т.е. его пропускание уменьшается. Это видно из фиг. 2, где изображены зависимости относительного изменения коэффициента поглощения образца на длинах волн 280 нм (4} и 450 нм (5) от времени его облучения УФ-излучением при мощности этого излучения 2,5 10 Эрг/мм . Видно, что оптимальное время облучения образца (2,5 М,5) мин что соответствует флюенсу (3,8 +0,7) 10 Эрг/мм . При этом поглощение на длине волны светового излучения

280 нм уменьшилось на 11 — 12 кривая 4, а на длине волны светового излучения видимой области 450 нм возросло на 50 кривая

5 и составило 1,05 см-1. Дальнейшее облучение кристалла УФ-излучением не приводит к изменению коэффициента поглощения на длине волны 280 нм и увеличивает коэффициент поглощения на длине волны 450 нм. Поэтому оптимальным флюенсом (световым потоком) в формуле

"О изобретения выбрана величина (3,8 +0,7)10 Эрг/мм .

Таким образом, использование предлагаемого способа для дополнительной обработки кристаллов хлорида свинца

15 УФ-излучением по сравнению со способом прототипа позволяет увеличить пропускание этих кристаллов в УФ-области спектра (180 — 300) нм на 10 — 15 . Это в свою очередь может повысить чувствительность и точ20 ность контроля и исследований этих кристаллов в УФ-части спектра, а также увеличить механическую устойчивость образцов к внешним воздействиям, зэ счет. того, что появилась возможность увеличи25 вать толщину образцов по направлению распространения светового потока на 10157э, Экономический эффект от внедрения данного изобретения можно оценить исхо30 дя из того, что за счет увеличения толщины образцов на 10 — 15, потери образцов при их изготовлении и использовании уменьшаются на 20 .

Формула изобретения

35 Способ повышения оптического пропускания кристаллов хлорида свинца, включающий их механическую обработку по направлению распространения светового потока до заданной толщины, о т л и ч а ю40 шийся тем, что, с целью увеличения пропускэния кристаллов в УФ-области спектра, их облучают световым потоком УФ-части спектра до флюенса (3,8 Ю,7) 10

Э рг/м м2.

1816815

25

0D

ФРО

20Р

Фиг. I о

1о

1,иин, fO

4иг. 2

Составитель Е.Васев

Техред М.Моргентал Корректор С,Лисина

Редактор

Заказ 1709 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101