Способ измерения теплового сопротивления /) —/г-переходов полупроводниковых приборов

 

О П И С А Н И Е ОБИ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 01 V1.1966 (№ 1081128/26-10) Е.1. 21о, 11/02

421, 12 05 с присоединением заявки № 1081266/26-10

МПК Н 01/

G 0114

УДК 621.382:536.6 (088.8) Приоритет

Опубликовано 02.Х||.1967. Бюллетень . и 24

Номитет по делам мзооретеммй и открытий (IpH 0HeIH NJHHMCTp0B

СССР

Дата опуоликован((я описания 31.1.1968

> (ВТО!">Ы изобретения

Э. Н, Улановский, А. Л. Тарасенко и С. Г. Забродский

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

p — n-ПЕРЕХОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ|Х ПРИБОРОВ

Известны спосооы измерения тсплового сопротивле;(ия p- — n-псрехода полупроводниковых приборов при помощи разогрева их импульсами прямого тока нагрева с последующим измерением порогового напряжения, являющсгося тсмпературо-зависимым параметром, путем пропускания прямого измерительного тока.

Этим методам свойственна погрешность измерения, обусловленная конечным временем рассасывания заряда неравновесных носителей, накопленного в базе за время протекания тока нагрева. Во время рассасывания поРОГОВОС Н((ПРЯЖСНИС НС ДОСТИГаlСТ МИ (k(3(>> Ма, соответствующего максимальной температурс нагрева. Задержка измерения этого минимума вносит в результат измерения погрешность вследствис остывания кристалла после снятия греющего импульса.

В способе, осуществленном согласно изобретению, указанный недостаток устранен тем, что задний фронт тока нагрева растягивают на время, равное 70 — 80((/, времени рассасыВ((НИЯ. (30 ВР с)1 и 3

С другой стороны, время рассасывания уменьшается с увеличением измерительного

0;III;I lI0, чтооы II3ihlcPIITc,1bHI>IÉ Tol>. Hc вызыва1 дополнительного, нсучить(ваемого на5 ГРОВ

IIp сдм ст изобретения

1. Способ измерения теплового сопротивлеи!(я р — -гг-переходов полупроводниковых приборов при помощи разогрева их импульсами

15 прямого тока нагрева с последующим измерением порогового напряжения, являющегося температуро-зависимым параметром, путем пропускания прямого измерительного тока, отл((чпгощгшся тем, ITo, с целью уменьшения

20 погрешности измерения, обусловленной конечным временем рассасывания заряда нсравновссны носителей, задний фронт тока нагрева ра(с(ягив(!ют на время, равное 70- — 80(),/0 времl СН и р (1 с С а C I>l B k) k(I I H.

25 2. Способ по и. 1, ог,га (пго(г(((((ся тем, что измерительный ток подают в виде короткого, порядка Врсмсни жизни I(coc((QBH(>(x. носитслсй

3;IPBДа, I()(ï111ücB > мощность IIQTOPI> кот01)ОГО нс превышает 3% средней мощности режима

Зо разогрева.

Способ измерения теплового сопротивления /) —/г-переходов полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх