Способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем



Способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем
Способ определения теплового импеданса кмоп цифровых интегральных микросхем

 


Владельцы патента RU 2463618:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" (RU)

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества КМОП цифровых интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Техническим результатом является повышение чувствительности и точности измерения теплового импеданса КМОП цифровых интегральных микросхем. При этом на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих импульсов, модулированных по периодическому закону, с частотой Ω и скважностью 2. На частоте модуляции Ω выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра того логического элемента, состояние которого не изменяется, и сдвиг фазы φ(Ω) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра, измеряют модуль теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте Ω по формуле:

, где KT - известный отрицательный температурный коэффициент температурочувствительного параметра, Unum - напряжение питания контролируемой микросхемы. 2 ил.

 

Изобретение относится к технике измерения параметров интегральных микросхем и может быть использовано для контроля качества цифровых интегральных микросхем на основе КМОП логических элементов (ЛЭ).

Известен способ измерения теплового сопротивления КМОП цифровых интегральных микросхем, заключающийся в том, что логическое состояние одного или нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих импульсов, частота следования которых увеличивается по линейному закону, и измеряют скорость изменения температурочувствительного параметра того ЛЭ, состояние которого не изменяется (см. патент 2172493 РФ, Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем / Сергеев В.А. Опубл. 20.08.2001, бюл. №23). В качестве температурочувствительного параметра в указанном способе используется выходное напряжение логической единицы.

Недостатком указанного способа является большая погрешность измерения, обусловленная относительно небольшой модуляцией греющей мощности и малым полезным изменением температурочувствительного параметра на уровне большого квазистатического значения этого параметра.

Наиболее близким к заявленному изобретению и принятым за прототип является способ определения теплового сопротивления переход-корпус КМОП цифровых интегральных микросхем, заключающийся в том, что логическое состояние одного или нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих импульсов и измеряют изменение электрического температурочувствительного параметра того ЛЭ, состояние которого не изменяется, при этом частоту следования переключающих импульсов изменяют (модулируют) по гармоническому закону с периодом, на порядок большим тепловой постоянной времени переход-корпус данного типа микросхем, а переменную составляющую температурочувствительного параметра измеряют на частоте модуляции, и искомое тепловое сопротивление определяют как отношение переменной составляющей температурочувствительного параметра к переменной составляющей мощности нагрева и температурному коэффициенту температурочувствительного параметра (см. авт. свид. СССР №1310754, Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус цифровых интегральных микросхем / В.А.Сергеев, Г.Ф.Афанасьев, Б.Н.Романов и др., опубл. 15.05.87, бюл. №18). В качестве температурочувствительного параметра в указанном способе также предлагается использовать выходное напряжение логической единицы.

Недостатком известного способа, принятого за прототип, является сложность достижения большой глубины модуляции частоты следования переключающих импульсов. В современных генераторах качающейся частоты глубина модуляции составляет несколько процентов; при такой глубине модуляции переменные составляющие греющей мощности переменной составляющей температурочувствительного параметра будут малы и, соответственно, точность определения теплового сопротивления невысока.

Цель изобретения - повышение чувствительности и точности измерения теплового импеданса КМОП цифровых интегральных микросхем.

Технический результат достигается тем, что логическое состояния одного или нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих импульсов и измеряют изменение температурочувствительного параметра того ЛЭ, состояние которого не изменяется, при этом частоту переключающих импульсов изменяют (модулируют) периодической последовательностью прямоугольных импульсов с заданной частотой следования и скважностью, равной 2, на частоте модуляции выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра того ЛЭ, состояние которого не изменяется, и модуль теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте модуляции Ω определяют по формуле

,

где KТ - известный отрицательный температурный коэффициент температурочувствительного параметра, Unum - напряжение питания контролируемой микросхемы, а фаза φT(Ω) теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте модуляции определяется как сдвинутая на 180° разность фаз между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра того ЛЭ, состояние которого не изменяется.

Отличие предлагаемого технического решения от известного способа заключается в том, что последовательность переключающих импульсов модулируют последовательностью видеоимпульсов со скважностью 2. Технический результат - повышение чувствительности и точности измерения теплового импеданса - достигается за счет того, что глубина модуляция греющей мощности в предлагаемом способе составляет (2/π)≈0,637, что во много раз больше глубины модуляции, достижимой при гармонической модуляции частоты в современных генераторах качающейся частоты.

Сущность предлагаемого изобретения поясняется эпюрами на фиг.1 и заключается в следующем. Периодическую последовательность переключающих импульсов UВЧ частотой повторения Fгр (фиг.1а), подаваемых на входы одного или нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы, модулируют меандром UНЧ, то есть последовательностью прямоугольных импульсов со скважностью 2 (фиг.1б). В результате на входы ЛЭ контролируемой микросхемы подаются пачки переключающих модулированных импульсов UM частоты Fгр (фиг.1в).

При переключении ЛЭ КМОП микросхемы из одного логического состояния в другое через полевые транзисторы выходного каскада ЛЭ протекают токи заряда и разряда емкости нагрузки СН, которые вызывают их нагрев (см. Тилл, У. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление: пер. с англ. - М.: Мир, 1985. - С.474-475.). Средняя за период переключения мощность рср, потребляемая одним ЛЭ контролируемой микросхемы при переключении с частотой Fгр, будет равна , где Unum - напряжение питания микросхемы. Полная средняя мощность потребляемая контролируемой микросхемой при переключении нескольких (m) ЛЭ, будет равна Определить величину можно, зная напряжение питания и измерив средний ток, потребляемый микросхемой из источника питания:

За время действия пачки переключающих импульсов средняя мощность, выделяющаяся в контролируемой микросхеме, остается неизменной (фиг.1г), то есть контролируемая микросхема будет разогреваться импульсами мощности постоянной амплитуды со скважность 2. Известно, что периодическая последовательность прямоугольных импульсов со скважностью 2 имеет дискретный спектр с нечетными гармониками, кратными частоте следования импульсов (см., например, Корн Г., Корн К. Справочник по математике (для научных работников и инженеров) / пер. с англ. - М.: Наука, 1973. - Стр.151.); при этом амплитуда первой гармоники греющей мощности (фиг.1д) на частоте модуляции будет равна

Определить амплитуду первой гармоники греющей мощности можно, измерив первую гармонику тока, потребляемого микросхемой,

Известно, что в приближении одномерной линейной теплоэлектрической модели цифровой интегральной микросхемы, представляющей k последовательно соединенных RC-цепочек, при разогреве контролируемой микросхемы переменной мощностью спектр температуры θ(t) рабочей поверхности кристалла микросхемы может быть представлен в виде

где Pm(ω) - спектр греющей мощности, потребляемой контролируемой микросхемой, - тепловой импеданс контролируемой микросхемы, RTi, τTi - тепловое сопротивление и тепловая постоянная времени соответствующего слоя конструкции контролируемой микросхемы, |ZT(ω)| - модуль теплового импеданса и φT(ω) - фаза теплового импеданса, равная разности фаз между переменными составляющими температуры и греющей мощности на частоте ω (см., например, Сергеев В.А. Методы и средства измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем // Электронная промышленность. - 2004. - №1. - С.45-48.).

Если контролируемая микросхема размещена на массивном теплоотводе, то через некоторое время, превышающее три тепловых постоянных времени переход-корпус τTn-к микросхемы (t>3τТп-к), после начала подачи последовательности переключающих импульсов, модулированной меандром с частотой Ω, в конструкции микросхемы установится регулярный тепловой режим и температура θ(t) рабочей поверхности кристалла микросхемы будет пульсировать относительно среднего значения (фиг.1е) с частотой Ω модуляции последовательности переключающих импульсов.

Температурочувствительный параметр контролируемой микросхемы UТП линейно связан с температурой θ(t) поверхности кристалла микросхемы: UТП(t)=KTθ(t), где KТ - известный температурный коэффициент температурочувствительного параметра. Если в качестве температурочувствительного параметра использовать выходное напряжение логической единицы одного из ЛЭ контролируемой микросхемы, логическое состояние которого поддерживается неизменным, то напряжение будет пульсировать в противофазе с температурой θ(t), поскольку выходное напряжение логической единицы имеет отрицательный температурный коэффициент. При этом амплитуда переменной составляющей температурочувствительного параметра на частоте Ω будет пропорциональна амплитуде первой гармоники переменной составляющей температуры (фиг.1з). Соответственно, амплитуда первой гармоники температурочувствительного параметра с учетом (2) и (3) будет равна

Откуда получим следующее выражение для теплового импеданса:

где φT(Ω) - разность фаз между первой гармоникой температуры рабочей поверхности кристалла микросхемы (фиг.1ж) и первой гармоникой греющей мощности (фиг.1д).

На фиг.2 представлена структурная схема одного из вариантов устройства, реализующего способ. Устройство содержит генератор 1 высокочастотных переключающих импульсов, генератор 2 прямоугольных импульсов, временной селектор 3, источник 4 питания, контролируемую микросхему 5, размещенную на теплоотводе, токосъемный резистор 6 с сопротивлением Ri, конденсаторы нагрузки 7 емкостью Сн, резистор нагрузки 8 с сопротивлением RH, два селективных вольтметра 9 и 10 и измеритель 11 разности фаз. При этом выход генератора 1 высокочастотных переключающих импульсов соединен с первым входом временного селектора 3, второй вход которого соединен с выходом генератора 2 прямоугольных импульсов, положительный полюс источника 4 питания соединен с соответствующим контактным выводом контролируемой микросхемы 5, а отрицательный полюс источника питания соединен с общей шиной устройства, при этом между общей шиной и контактным выводом контролируемой микросхемы, предназначенным для подключения отрицательного полюса источника питания, включают токосъемный резистор 6 с сопротивлением RI, выход временного селектора 3 соединен со входами одного или нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы 5, к выходам этих ЛЭ подключены конденсаторы 7 нагрузки емкостью Сн, вход одного из ЛЭ контролируемой микросхемы соединен с общей шиной устройства, а к выходу этого ЛЭ подключен резистор нагрузки 8 и первый селективный вольтметр 9, а вход второго селективного вольтметра 10 соединяют с контактным выводом контролируемой микросхемы, предназначенным для подключения отрицательного полюса источника питания, при этом линейные выходы селективных вольтметров соединены со входами измерителя разности фаз.

Устройство работает следующим образом. По сигналу «Пуск» запускается генератор 1 высокочастотных переключающих импульсов и генератор 2 прямоугольных импульсов, импульсы с выхода генератора 1 высокочастотных переключающих импульсов подаются на один из входов временного селектора 3, на второй вход которого подаются импульсы с выхода генератора 2 прямоугольных импульсов; с выхода временного селектора 3 пачки переключающих импульсов поступают на входы нескольких ЛЭ контролируемой микросхемы 5; на вход первого селективного вольтметра 9, настроенного на частоту модуляции, подается напряжение логической единицы с выхода того ЛЭ, вход которого соединен с общей шиной устройства и состояние которого не изменяется, а напряжение с токосъемного резистора 6, пропорциональное току, потребляемому контролируемой микросхемой, подается на вход второго селективного вольтметра 10, также настроенного на частоту модуляции; сигналы с линейных выходов первого селективного вольтметра 9 (фиг.1з) и второго селективного вольтметра 10 (фиг.1д) подаются на первый и второй входы измерителя разности фаз соответственно; через некоторое время после начала подачи переключающих импульсов регистрируются показание UCB1 первого селективного вольтметра 9, которое равно амплитуде первой гармонике температурочувствительного параметра , и показание UCB2 второго селективного вольтметра 10, которое пропорционально первой гармонике тока, потребляемого контролируемой микросхемой и по показаниям селективных вольтметров вычисляют модуль теплового импеданса

а показания измерителя разности фаз Δφ после вычитания 180° равны фазе теплового импеданса

Для исключения влияния токосъемного резистора на результат измерения температурочувствительного параметра сопротивление токосъемного резистора необходимо выбирать как можно меньше, исходя из порога чувствительности селективного вольтметра, либо проводить измерение ТЧП при закороченном токосъемном резисторе. Для повышения точности измерения частоту Fгр следования переключающих импульсов необходимо выбирать вблизи предельной рабочей частоты данного типа контролируемых микросхем.

Способ определения теплового импеданса КМОП цифровых интегральных микросхем, состоящий в том, что логическое состояния одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы изменяют путем подачи на их входы последовательности переключающих импульсов, частоту следования которых модулируют по периодическому закону, на частоте модуляции выделяют и измеряют амплитуду переменной составляющей температурочувствительного параметра того логического элемента, состояние которого не изменяется, отличающийся тем, что последовательность переключающих импульсов модулируют последовательностью прямоугольных импульсов с частотой Ω и скважностью 2; на частоте модуляции Ω выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и сдвиг фазы φ(Ω) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра; модуль теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте Ω определяют по формуле
,
где - амплитуда переменной составляющей температурочувствительного параметра на частоте Ω, Kт - известный отрицательный температурный коэффициент электрического температурочувствительного параметра, Uпит - напряжение питания контролируемой микросхемы; а фаза φт(Ω) теплового импеданса контролируемой микросхемы равна сдвинутой на 180° разности фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой тока, потребляемого микросхемой.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в контрольно-поверочной аппаратуре, для измерения технических параметров аварийных радиомаяков и радиобуев.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД ("кремний на диэлектрике") структурах, по радиационной стойкости.

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для диагностики функционирования микросхем оперативной памяти во всех отраслях микроэлектроники и радиотехники.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. .

Изобретение относится к области электротехники и может использоваться в источниках питания для исключения в них коротких замыканий при «пробое» тиристоров и сохранения выходного напряжения.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для отбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД (кремний на диэлектрике) структурах, по радиационной стойкости.

Изобретение относится к области вычислительной и контрольно-измерительной техники и может быть использовано для контроля программируемых логических интегральных схем, в частности, иностранного производства.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к имитаторам солнечного излучения на основе импульсных газоразрядных ламп для измерения световых вольтамперных характеристик и других фотоэлектрических параметров солнечных фотоэлементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения.

Изобретение относится к области электроизмерительной техники и может быть использовано при разработке оперативных методов и средств определения или неразрушающего контроля значений теплоэлектрофизических параметров и электрофизической диагностики проводящих или резистивных структур интегральных схем (ИС).
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при создании и многократном регулировании сопротивления металлических перемычек, соединяющих электроды твердотельных приборов, работа которых основана на полярнозависимом электромассопереносе в кремнии (ПЭМП)

Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц различных энергий космического пространства. Техническим результатом является снижение стоимости и продолжительности испытаний на радиационную стойкость, а также повышение достоверности результатов испытаний. В способе испытаний полупроводниковых БИС технологии КМОП/КНД на стойкость к эффектам единичных сбоев от воздействия тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) космического пространства путем облучения ограниченной выборки БИС импульсным ионизирующим излучением облучение производят гамма-нейтронным излучением импульсного ядерного реактора (ИЯР) со средней энергией 1,0-3,0 МэВ или импульсным рентгеновским излучением электрофизических установок (ЭФУ) с эквивалентной дозой, вызывающей равную с ТЗЧ генерацию радиационно-индуцированного заряда в чувствительном объеме БИС, и для определения стойкости к воздействию ТЗЧ с величиной порогового значения линейных потерь энергии LETTH в диапазоне от единиц до сотни МэВ·см2/мг используют значение коэффициента относительной эффективности RDEF (Relative Dose Enhancement Factor) воздействия полной поглощенной дозы рентгеновского или гамма-излучения по отношению к величине LETTH с использованием представленного соотношения. 6 з.п. ф-лы, 6 ил., 8 табл.

Изобретение предназначено для использования на выходном и входном контроле качества цифровых КМОП интегральных микросхем и оценки их температурных запасов. Сущность: на входы одного или нескольких логических элементов контролируемой микросхемы подают последовательность высокочастотных переключающих греющих импульсов частотой Fгр, модулированных последовательностью прямоугольных видеоимпульсов с постоянным периодом следования Тсл, длительность τр которых изменяется по гармоническому закону с частотой ΩМ. На частоте модуляции ΩМ выделяют и измеряют амплитуду первой гармоники тока, потребляемого контролируемой микросхемой, амплитуду первой гармоники температурочувствительного параметра - выходного напряжения логической единицы того логического элемента, состояние которого не изменяется, и сдвиг фазы φ(ΩМ) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой микросхемой, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. По измеренным величинам определяют модуль и фазу теплового импеданса контролируемой микросхемы на частоте ΩМ. Технический результат: повышение точности измерения. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике и может применяться для исследования измерительных характеристик и контроля точности работы измерительного устройства многоточечных измерительных систем с входной коммутацией датчиков. Предлагается способ контроля работоспособности многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков, заключающийся в том, что к входу коммутатора датчиков подключают формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, соответствующий типу подключаемых датчиков, и измеряют сигналы этого формирователя, по измеренным сигналам формирователя и их известным физическим значениям вычисляют функцию преобразования системы, затем к коммутатору датчиков подсоединяют соответствующий типу подключаемых датчиков второй формирователь ступеней имитатора сигналов датчиков, физические значения сигналов которого заранее известны, измеряют сигналы этого формирователя, по результатам этих измерений и вычисленной функции преобразования системы вычисляют значения сигналов второго формирователя ступеней имитатора и определяют разности с известными их значениями, по величине этих разностей оценивают степень работоспособности системы. Применение изобретения позволит упростить способ контроля, повысить надежность контроля работоспособности измерительного устройства для обеспечения измерения сигналов датчиков с заданной точностью и сократить время подготовки к проведению измерений многоточечной измерительной системы с входной коммутацией датчиков. 1 ил.

Способ предназначен для использования на выходном и входном контроле качества сверхбольших интегральных схем (СБИС) - микропроцессоров и микроконтроллеров - и оценки их температурных запасов. В контролируемую СБИС, установленную на теплоотводе и подключенную к источнику питания, загружают специальный «разогревающий» тест и программу управления и включают в режим периодического нагрева путем переключения контролируемой СБИС из режима выполнения специального теста в режим паузы с частотой Ω и скважностью 2. На частоте модуляции Ω выделяют и измеряют амплитуду I m 1 п о т ( Ω ) первой гармоники тока, потребляемого контролируемой СБИС, амплитуду U m 1 Т П ( Ω ) первой гармоники температурочувствительного параметра с известным отрицательным температурным коэффициентом KT, например, напряжения на встроенном в ядро СБИС р-n переходе или напряжения логической единицы на одном из нагруженных резистивной нагрузкой выводов СБИС, логическое состояние которого не изменяется при переключении СБИС из одного режима в другой, и сдвиг фазы φ(Ω) между первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС, и первой гармоникой температурочувствительного параметра. Модуль теплового импеданса контролируемой СБИС на частоте Ω определяют по формуле: | Z T ( Ω ) | = U m 1 Т П ( Ω ) K T U п и т I m 1 п о т ( Ω ) , где Uпит - напряжение питания контролируемой БИС, а фазу φT(Ω) теплового импеданса контролируемой СБИС определяют как уменьшенную на 180° разность фаз между первой гармоникой температурочувствительного параметра и первой гармоникой тока, потребляемого контролируемой СБИС. 2 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для измерения температуры активной области светоизлучающих диодов. Заявлен cпособ измерения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов (СИД), при котором инжекционный ток подают в виде последовательности импульсов нарастающей длительности с периодом между импульсами, достаточными для остывания активной области и не менее времени считывания сигнала с выхода фотоприемной линейки. Далее на СИД подают постоянный инжекционный ток и измеряют спектр излучения в заданные моменты времени в течение цикла измерения вплоть до полного разогрева СИД. В устройстве для реализации способа последовательно соединены генератор инжекционного тока, светоизлучающий диод, электрооптический затвор, монохроматор и приемно-преобразовательный блок, включающий в качестве фотоприемного устройства многоэлементную фотоприемную линейку, первый и второй генераторы импульсов, АЦП и микроконтроллер. Управляющие выходы микроконтроллера соединены с входом генератора инжекционного тока и с входом первого генератора импульсов, выход которого соединен с управляющими входами электрооптического затвора и второго генератора импульсов, выходы которого соединены с управляющими входами фотоприемного устройства и АЦП. Технический результат - повышение точности определения переходных тепловых характеристик светоизлучающих диодов. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам испытаний интегральных схем (ИС) на коррозионную стойкость. Сущность: перед испытанием ИС проводят проверку внешнего вида, электрических параметров и проверку герметичности, нагревают до температуры плюс 125°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при этой температуре 1 ч, резко охлаждают до минус 55°С со скоростью не более 100°С/мин, выдерживают при данной температуре 0,5 ч, плавно нагревают до плюс 2°С в течение 1 ч. и выдерживают в течение 0,5 ч. Проводят не менее 16 непрерывно следующих друг за другом циклов по 3 ч каждый. Технический результат: повышение объективности оценки наличия влаги внутри корпуса ИС. 1 ил.

Изобретение относится к технике испытаний и может быть использовано при наземной экспериментальной отработке радиоэлектронной аппаратуры космических аппаратов в диапазоне давлений окружающей среды от атмосферного до соответствующего глубокому вакууму. Технический результат - повышение достоверности испытаний элементов радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к дугообразованию при выходе из строя электрорадиотехнического изделия внутри радиоэлектронной аппаратуры, приводящего к инициированию первичного дугового разряда и способного приводить к вторичным самоподдерживающимся дугам при недостаточной стойкости испытываемого элемента аппаратуры. Питание первичного дугового разряда, горящего в промежутке между электродами, осуществляется с использованием напряжения, равного напряжению бортовой кабельной сети космического аппарата, а инициирование разряда осуществляется путем электрического пробоя промежутка высоковольтным импульсом напряжения, длительность которого не превышает времени прохождения плазменным фронтом расстояния от места инициирования разряда до крайней точки электродов, обращенной в сторону испытываемого элемента. 2 ил.

Изобретение относится к области тестирования дискретных объектов большой размерности. Техническим результатом является повышение глубины локализации неисправностей. Устройство содержит m n-разрядных многовходовых сигнатурных анализаторов (СА строк), входы которых соединены со всеми mn выходами одновыходных блоков проверяемого объекта, n m-разрядных многовходовых сигнатурных анализаторов (СА столбцов), входы которых соединены со входами СА строк так, что j-e входы (j=1,…, n) всех m СА строк соединены со всеми m входами j-го СА столбцов. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой устройство для определения исправности полупроводниковых диодов и может быть использовано для автоматического бесконтактного контроля технического состояния мостовых диодных выпрямителей. Устройство содержит два датчика напряженности внешнего магнитного поля, размещенных на токопроводе первичной обмотки трансформатора выпрямителя и на токопроводе нагрузки выпрямителя соответственно, два узкополосных фильтра, настроенные на частоты 2ω и ω соответственно, три компаратора, настроенные на разные уровни срабатывания, логические элементы И-НЕ и И, индикаторы «обрыв» и «пробой». Техническим результатом является повышение надежности работы устройства за счет исключения влияния положения оси чувствительности датчика напряженности внешнего магнитного поля и исключения возможности ложных срабатываний устройства. 1 ил., 1 табл.
Наверх