Способ изготовления полупроводниковых приборов
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ использующий нанесение слоев тугоплавких металлов, легированных углеродом, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости свойств границы раздела металла с контактирующими полупроводником и диэлектриком, углерод вводят в количестве 1-3 мас.%.2. Способ поп.1,отличающ и и с я тем, что, с целью предотвращения образования карбидов тугоплавких металлов, нанесение слоев металлов осуществляют путем термического разложения карбонилов этих металлов при 260-400°С.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
„.Я01, 4 (51) 4 Н 01 Т. 21/283
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 1781253/26-25 (22) 05.05.72 (46) 07. 11.86. Бюл, У 41 (72) О.В.Сопов. Е.Е.Качурина, Б.Г.Анохин и Л.Н.Немировский (53) 621,382.002 (088.8) (54) (57) 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ использующий нанесение слоев тугоплавких металлов, легированных углеродом, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости свойств границы раздела металла с контактирующими полупроводником и диэлектриком, углерод вводят в количестве 1-3 мас.X.
2. Способ по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью предотвращения образования карбидов тугоплавких металлов, нанесение слоев металлов осуществляют путем термического разложения карбонилов этих металлов при 260-400 С.
421304
Техред Л.Сердюкова
Редактор Л.Письман
Корректор Т. Колб
Заказ 6052/1
Тираж 643
ВИИК1И Государствечного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб...ц. 4/5
Подписное
Производственно-полиграАическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к области электронной полупроводниковои техники и может быть использовано при разработке новых полупроводниковых приборов, а также при усовершенствовании существующих.
В настоящее время при изготовлении полупроводниковых приборов широко используются металлические покрытия (например, для маскирования при диффузии или ионной бомбардировке) H металлические электроды из различных материалов, в том числе из молибдена и вольфрама.
Тонкие слои этих материалов обладают хорошими маскиргющими свойствами, но имеют плохую воспроизводимость адгезии и недостаточную скорость травления, что ухудшает шумовые характеристики полупроводниковых приборов °
В связи с этим в полевых МОП-транзисторах слои этих металлов используются только при изготовлении приборов для вычислительной техники, где уровень шумов не имеет решающего значения, и практически не используются для изготовления малошумящих высоко-. частотных транзисторов.
Целью изобретения является улучшение воспроизводимости свойств границы ра"-.äåëà металла с контактирующими полупроводником и диэлектриком.
Для этого в процессе образования покрытия из вольфрама или молибдена на поверхности полупроводника или
ИОП-структуры в него вводят углерод в количестве 1 — 3 мас./, который может присутствовать F покрытии как н виде
5 свободного углерода, так и в виде соединений его с вольфрамом или молибденом (карбидов вольАрама и молибдена).
Это легко может быть достигнуто при нанесении слоев вольАрама и молибдена известнь1м способом термического разложения карбонилов или смеси карбонилов и хлоридов этих металлов (Ио(СО)ь и И(СО) ).
Для введения необходимого количества углерода в металл процесс проводят при температурах более низких, чем при обычном процессе осаждения этих о металлов, т.е. ниже 450 С для молибо дена и ниже 500 (для вольфрама.Практический диапазон температур лежит в о интервале 260-380 С для молибдена и о
260-400 С для вольфрама.
Предлагаемый способ сущсственно улучшает свойства слоев молибдена и вольфрама, позволяет создать малошумящие транзисторы, а также обеспечивает высокую воспроизводимость адгезии и достаточную скорость травления покрытий.
Изготовленные предлагаемым сносов бом образцы полевых транзисторов с изолированным затвором имеют малый уровень шума и способны работать в области частот до 1000 мГц.
