Способ кристаллизации растворов

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 553290 (61) Дополнительное к авт, свид-вуМ 401377 (22) Заявлено 24.03.75 (21) 2117071/13 (51) М. Кл.е

С 13 F 1/02 с присоединением заявки №(23) Приоритет(43) Опубликовано05.04.77.Бюллетень № 13 (4б) Дата опубликования оцисания16.07.77

Государстеенне|й йоннтет

Совета Мнннстров СССР оо делам нэобретеннй и открытей (53) УДК 664,1.054 (088,8) В. О. Штангеев, И, С. Гулый, В. Я, Борисенко, И, Г. Бажал и Л, И, Требии (72) Авторы изобретения

Киевский технологический институт пищевой промышленности и институт коллоидной химии и химии воды АН Украинской ССР

Ф (71) Заявители (54) СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РАСТВОРОВ

Изобретение относится к сахарной, пищевой и химической промышленности и может быть применено для кристаллизации веществ пои кипении. t . По основному ввт.св. Ме 401 37 7 известен способ кристаллизации растворов, предусматривающий охлаждение. и нагрев раствора при кристаллизации, что способствует более интенсивному прохождению процесса. Это дос-титается тем, что охлаждение и нагрев про 10 водят многократно с определенной частотой и амплитудой постоянной во времени. Приемы охлаждении и нагревания криствллиэующейся утфельной массы проводят многокрарно путем изменения величины теплового по- l5 тока по заданному закону колебаний давления вторичного пара в вакуум-аппарате периодического или непрерывного действия.

Недостатком известного способа являет ся то, что частота и амплитуда не может 20 быть постоянна в процессе варки и кристаллизации утфеля в вакуум-аппарате. Эти величины .должны изменяться таким образом, чтобы интенсивность укрупнения кристаллов за счет рекристаллиэации была бы макси- . 25 мальной..Интенсивность рекристаллизации возрастает с увеличением амплитуды и частоты колебания температуры (давления) и концентрации межкристального раствора с увеличением дисперсности кристаллов, с повышением температуры, с уменьшением содержания твердой фазы, в утфеле, в падает с увеличением количества утфеля в аппарате, так квк увеличивается высота кипяшего слоя, что приводит к уменьшению частоты колебания температуры и концентрации межкристального раствора.

Целью изобретения является интенсификация процесса варки и кристаллизации утф лей для получения максимального аффекта укрупнения кристаллов и оптимизация тепломассообмена.

Поставленная цель достигается тем, что измеряют содержание твердой фазы в растворе и в зависимости от измеренной величины корректируют измерение давления вторичного пара в вакуум-аппарате, при атом частоту колебания давления вторичного пара устанавливают равной 6-7 час для перво.( го продукта и 3-4 час для последнего про553290

4, дукта в момент эаводки кристаллов и 0 час в конце варки, а амплитуду - от 0 вта в момент заводхи кристаллов до 0,05 атвдля первого продукта и 0,075 ата для последнего продукта в хонце варки. 5

Начало процесса варки характеризуется высокой дисперсностью кристаллов, неиысо ким уровнем киияшего утфеля и малым содержанием твердой фазы, то процесс ре««

-кристаллизации проходит довольно интенсивно., 10

Высокая амплитуда колебания в этот момент непригодна, что может привести к полному растворению кристаллов. Следовательно, в этот момент времени частота колебаний должна иметь максимальное значение., д

Ф

По мере прохождения процесса уварива ния в вакуум-аппарате амплитуда колебаний возрастает при ItoAAepKBttHtt на мвхсимально возможном уровне частоты холебаний.

В процессе варки в зависимости от содержания твердой фазы, так как этот фак тор наиболее полно характеризует тепломассообменные процессы, происходяшие в вв куумаппарате, корректируют изменение дав» ленин вторичного пара в вакуум-аппарате, при этом частоту колебания давления вто» ричного лара устанавливают равной от 6-7

«г -1 час для первого продукта и 3-4 час для последнего продукта в момент эаводкн кристаллов и 0 час в хонце варки, а ампли туду - от 0 ата в момент заводки кристал лов до 0,05 ата для первого продукта и

0,075 ата для последнего продукта в кон» це варки, а также позволяет составить прог-55 рамму колебаний, независимую от времени процесса, т.е, не прерывая в любой точ» ке колебательного процесса нэ-эа эксплуатационных .условий работы. 40

Увеличение амплитуды (.А ) и уменьше ние частоты (ч ) колебаний в зависимости от продуктов производится по следую шим зависимостям:

Йля первого продукта А =3Kp

Ь,-бакр

Йля последнего продукта А СКр

Ч., -г р о» е

ttte 4 - максимальная частота колебаний

1 для первого продукта, 55

Я - максимальная частота колебвМ ний для последнего продукта, Кр- содержание твердой фазы.

Коэффициенты:

В-=0,16 - 2,0

С=010-25

Показатели степени:

11 = 02 09

1п» 0,2 - 0,9

Обший вид такой программы колебаний представлен на фиг, 1.

На фиг. 2 изображена схема, поясняю

matt предложенный способ.

Реализации программы колебания производится автоматическим колебательным хонтуром, состоящим иэ датчика 1 вбсолкисного давления в вакуум-аппарате, пропорци онально»интeгрального регулятора 2, воэдействуюшего на регулирую1пий орган 3. Ко лебания давления задаются эадатчиком, состояшим из привода 4 программы, получаю» шаго хоррекцию от датчика 5 содержания твердой фазы, фотосчитываюшего устройства

6 и пневмопреобраэователя 7, преобразукм

mего перемешение фотосчитываюшего устройства в стандартный пневматический сигнал, который поступает в регулятор в качестве задачи (прогрвммы).

При достижении заданного содержания твердой фазы в аппарате происходит прекрашение колебаний и абсолютное давление в аппарате будет средним по отношению к махсимальным точхам при его колебании. Вато время производится спуск аппарата.

Формула изобретения

Способ кристаллизации растворов по ввт.св.

Nt 401377, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью получения максимального аффекта ухрупнения кристаллов и оптимизации тепломассообменного. процесса, измеря» ют содержание твердой фазы в растворе и и. зависимости от измеренной величины корректируют изменение давления вторичного пара в вакуум-аипарате, прн этом частоту коле банни давления вторичного пара устанавли-1 веют равной от 6-7 час для первого продукта и 3-4 час для последнего продукта в момент эаводки кристаллов и О час в конце варки, а амплитуду от О ата в момент заводки кристаллов до 0,05 ата для первого продукта и 0,075 ата для последнего продукта в конце варки.

553290

A, amu

Составитель Г. Богачева

Техред О. Луговая Корректор Н. Золотовская

Редактор В. Смирягина

Филиал ППП "Патент, r, Ужгород, ул. Прдектная, 4

Заказ 209/40 Тираж 459 Подписное

UHHHllH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москве, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5