Из нитридов (H01L21/318)
H Электричество(232322)
H01L21/318 Из нитридов(18)
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования подзатворного диэлектрика с пониженной дефектностью и с повышенной радиационной стойкостью.
Способ получения нитрида кремния // 2629656
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения нитрида кремния. В способе получения нитрида кремния нитрид кремния формируют каталитическим парофазным химическим осаждением смеси гидразина (N2H4) и силана (SiH4) при температуре подложки 230-370°С, давлении SiH4 15-17,5 Па, скорости роста нитрида кремния 100 нм/мин и отношении парциальных давлений газообразных источников Р(N2H4+N2)/P(SiH4)=4-6.
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и/или устройств микросистемной техники на кремниевых подложках, содержащих в своей структуре пленки нитрида кремния различного функционального назначения.
Способ изготовления диэлектрического слоя // 2498445
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления микроболометрических матриц неохлаждаемых фотоприемников ИК диапазона. В способе на подложку осаждают слой диэлектрика из газовой смеси, содержащей компоненты, необходимые для образования диэлектрика - оксинитрида кремния.
Изобретение относится к технологии изготовления мощных кремниевых транзисторов, в частности к способам получения диэлектрических пленок нитрида кремния. .
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности антимонида галлия. .
Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе.
Изобретение относится к технологии получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния (Si3N4). .
Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводниковых соединений A3B5 и приборов на их основе, а также для подготовки поверхности этих полупроводниковых соединений для последующего эпитаксиального выращивания на ней нитрида галлия GaN.
Изобретение относится к способам устранения причин замыкания между проводящими уровнями в интегральных схемах (ИС) с целью увеличения выхода годных ИС и может найти применение в микроэлектронике. .
Изобретение относится к области изготовления структур на полупроводниках А3В5. .
Способ получения нитрированного окисного слоя на подложке из полупроводникового материала // 2008745
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем, и предназначено для получения подзатворных окисных слоев КМОП-интегральных схем, полупроводниковых приборов, а также окисных слоев, применяемых в качестве изоляции активных элементов в интегральных и дискретных структурах.
Способ формирования пленки нитрида кремния // 1718302
Изобретение относится к технологии обработки и производству сверхбольших интегральных схем. .
Способ формирования пленок нитрида кремния // 1715138
Изобретение относится к области технологии изготовления интегральных схем-для вычислительной техники, в частности к способу изготовления структуры затвора для МНОП-элементов памяти постоянных электрически перепрограммируемых запоминающих устройств Цель изобретения - повышение времени хранения за счет уменьшения скорости растекания информационного заряда.
Способ получения слоев оксинитрида кремния // 1630570
Способ получения слоев нитрида кремния // 1294220
Способ осаждения пленок нитрида кремния // 1225431
