Управляемая гистерезисная муфта

 

СО1ОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (бl) Н 02 К 49/04

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3924901/24-07 (22) 10.07.85 (46) 07.01.87. Бюл. ¹- 1 (72) В.А.Яковлев и А.Ф.Герасимов (53) 621.313.2.076(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 604098, кл. Н 02 К 49/04, 1976.

Авторское свидетельство СССР

¹ 998833992299, кл. Н 02 К 49/04, 1981. (54) УПРАВЛЯЕМАЯ ГИСТЕРЕЗИСНАЯ МУФТА (57) Изобретение относится к общему машиностроению и может быть использовано в электроприводах автоматического регулирования. Цель изобре— тения — упрощение конструкции и повышение КПД муфты. Управляемая гистерезисная муфта содержит ведущую полумуфту 1 с зубцовым магнитопроводящим фланцем 2, на котором размещены шес„„SU„„1282275 А 1 терня 3 и немагнитная втулка 4. На втулке 4 установлены и скреплены с ней стержневые магниты 6 между полюсами магнитопровода 7. Ведомая полумуфта 8 содержит немагнитную втулку

9,на которой размещены шестерня 10 и магнитотвердые пластины 11, образующие шихтованный в продольном направлении гистерезисный слой, охватывающий ведущую полумуфту с постоянными магнитами 6. Обмотка управления

12 установлена на центральном неподвижном магнитопроводе 13. Размещение гистерезисного слоя на максимальном радиусе обеспечивает увеличение передаваемого момента и ИЩ муфты, а изъятие дополнительной опоры постоянного магнита упрощает конструкцию.

3 ил.

С:

1?82275

Изобретение относится к общему машиностроению и может быть применено, например, в составе электроприводов систем автоматического регулирования, а также в приборостроении.

Цель изобретения - упрощение кон-струкции и повышение КПД муфты.

На фиг. 1 изображена управляемая гистерезисная муфта, общий вид; на фиг. 2 — сечение А-А на фиг. 1; на фиг. 3 — сечение Б-Б на фиг. 1.

В состав муфты входят ведущая полумуфта 1, содержащая зубцовый магнитопроводящий фланец 2, на котором закреплены шестерня 3 и немагнитная о втулка 4, на которой установлены и скреплены, например компаундом 5, стержневые магниты б и магнитопровод 7 с полюсами-зубцами, ведомая полумуфта 8, содержащая немагнитную втулку 9, на которой закреплены шестерня 10 и магнитотвердые пластины 11, образующие шихтованный в продольном направлении гистерезисиый слой, обмотка 12 управления с центральным неподвижным магнитопро-водом 13.

Муфта работает следующим образом.

При выключенной обмотке 12 управ-. ления поток постоянных магнитов о

3G замыкается через группу (приблизительно половину от общего числа их) магнитотвердых пластин 11, расположенных над полюсами этих магнитов.

При включении обмотки 12 управления в определенной полярности магнитный поток замыкается в направлении, противоположном потоку магнитов б, через вторую группу магнитотвердых пластин 11, расположенных под зубцами — полюсами подвижных частей фланца 2 и 7 магнитопровода, обеспечивая передачу на ведомую полумуфту 8 вращающего момента.

Изменив полярность тока в обмот45 ке 12 управления, получают согласное направление потоков магнитов 6 и обмотки 12 управления в обеих группах магнитотвердых пластин 11.

При проскальзывании ведомой полумуфты 8 магнитное состояние всех ферромагнитных пластин 11 не изменяется. Муфта не передает вращающего момента, т.е. отключается.

Упрощение конструкции предлагаемой муфты достигнуто благодаря изъятию из ее состава дополнительной опоры вращения постоянного магнита, имевшей место в известной муфте.Это оказалось возможным благодаря тому, что постоянный магнит размещен внутри гистерезисного слоя, и опоры вращения подвижной части магнитопровода, содержащей фланец и втулку, слу— жат одновременно опорами вращения постоянному магниту 6.

Повышение КПД предлагаемой муфты достигнуто благодаря тому, что гистерезисный слой ведомой полумуфты размещен на максимальном в пределах радиальных габаритов муфты радиусе вращения. В результате достигнуто максимальное увеличение окружной длины, а значит, и объема гистерезисного слоя, что позволяет увеличить передаваемый муфтой момент и ее КПД.

Дальнейшее увеличение передаваемого муфтой момента достигнуто благодаря тому, что максимально увеличен радиус приложения усилий, создающих упомянутый момент.

Формула изобретения

Управляемая гистерезисная муфта, содержащая коаксиально расположенные ведущую полумуфту с постоянным магнитом и составной агнитопровод с полюсами, закрепленными на немагнитной втулке, жестко связанный с ведущей полумуфтой, ведомую полумуфту с гистерезисным слоем, шихтованным

a po o I H M H H, o Mo K уггравления, размещенную на неподвижном центральном магнитопроводе, ко4ксиально постоянному магниту, о тл и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью упрошения конструкции и повышения КПД, постоянный магнит ее выполнен в виде аксиально намагниченных стержней, размещенных на немагнитной втулке между полюсами магнитопровода, а гистерезисный слой установлен снаружи ведущей полумуфты с постоянным магнитами и магнитопроводом.

b - Á (;йгГЯ

Составитель А.Трепутнева

Редактор С.Патрушева Техред А.Кравчук Корректор М.Самборская

Заказ 7282/55 Тираж 661 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул . Проектная, 4