Запоминающее устройство^,^^^^'<^^г1ая inrilh7jio-k;x::;; 't'pfg

 

362346

О П И С А И И Е

И ЗОБРЕТЕН И Я

К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Goes Саветскик

Сопиалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. С 1lc 11/02

Заявлено 02.lll.1971 (№ 1631422/18-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Котаитвт по делам изобратеиий и открытий при Совете Мииистров

СССР

Опублпковапо 13.XII.1972. Бюллетень ¹ 2 за 1973

Дата опубликования описания 8.II.1973

УЛК 681.327.66(088.8) Авторы изобретения Г. С. Щучкин, Р. Д. Иванов, А. А. Тихонов и И. Н. Важенин

Заявитель

ЗАПОМИ НАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Известны запоминающие устройства, содержащие группу магниторезистивных элементов, выходные шины по числу групп элементов, координатные шины Х, Y и источник питания. Недостатками таких устройств являются большая потребляемая мощность и малые сигналы чтения.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что к выходу каждого магниторезистивного элемента подсоединен ключ с двумя управляющими входами. Входы всех магниторезистивных элементов объединены и подключены к источнику питания. Первые управляющие входы одноименных ключей разных групп присоединены к соответствующим координатным шинам Х, а вторые управляющие входы ключей каждой группы — к соответствующим координатным шинам Y. Выходы ключей каждой группы связаны с соответствующими выходными шинами.

Такое выполнение устройства позволяет уменьшить потребляемую мощность, увеличить его емкость и повысить величину выходного сигнала.

На чертеже дана схема описываемого устройства.

Устройство содержит группы 1 (т — количество групп) магниторезистивных элементов (МРЭ) 2, выходные шины 8, координатные шины Х и У, источник питания 4 и ключи 5 с двумя управляющими входами б и 7. Управляющие входы б одноименных ключей разных групп 1 присоединены к соответствующим координатным шинам Х, а управляющие входы

5 7 каждой группы — к соответствующим координатным шинам У. Выходы 8 ключей каждой группы связаны с соответствующими выходными шинами 8. К выходным шинам подключены резисторы 9 нагрузки, с которых сни10 мают выходные сигналы.

Устройство работает следующим образом.

Запись информации осуществляется при подаче импульсов тока в одну или несколько ко15 ординатных шин Х. С некоторым временным сдвигом по одной или нескольким координатным шинам Y подаются импульсы тока, полярность которых определяется кодом информации, записываемой в МРЭ 2, перекрывающие

20 по длительности импульсы тока, подаваемые по координатным шинам Х. Магнитное поле импульсов тока в координатной шине Y после окончания импульса тока в координатной шине Х устанавливает МРЭ в одно из устойчи25 вых состояний, соответствующее коду «О» или

«1». Магнитное состояние МРЭ, возбужденных магнитным полем только импульсов тока координатных шин У или только импульсов тока координатных шин Х, восстанавливается по

30 окончании их действия.

362346

I

I

I х, 1

l

I

Составитель А. Корюкова

Техред Т. Миронова

Корректоры: А. Степанова и Л. Чуркина

Редактор А. Пейсоченко

Заказ 233/12 Изд. № 1003 Тираж 404 Пдописное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4(5

Типография, пр. Сапунова, 2

В запоминающем устройстве последовательного типа считывание информации осуществляется подачей тока пленки от источника питания 4 через МРЭ 2, с которого предполагается считывание информации (возбуждаются входы 6 и 7 соответствующего ключа 5), и импульсов тока в координатную шину У, лежащую под выбранным МРЭ.

В запоминающем устройстве параллельного типа считывание информации осуществляется подачей тока через одноименные МРЭ (возбуждаются выбранные ключи 5, связанные с соответствующими координатными шинами Х вЂ”.. Х и одной координатной шино" Y) и импульсов тока опроса в координатную шину

У, расположенную над этими МРЭ.

Под воздействием магнитного поля импульса тока опроса изменяется магнитное состояние МРЭ, приводящее к изменению его активного сопротивления и, следовательно, сопротивления в цепи тока пленки. Это вызывает появление сигнала на резисторе 9. Магнитное состояние МРЭ после воздействия магнитного поля импульсов тока опроса, независимо от того, протекает или нет по этим МРЭ ток пленки, восстанавливается.

Предмет изобретения

Запоминающее устройство, содержащее группы магниторезистивных элементов, выходные шины по числу групп элементов, координатные шины Х, У и источник питания, отли10 чающееся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, увеличения емкости устройства и повышения величины выходного сигнала, к выходу каждого магниторезистивного элемента подсоединен ключ с двумя уп15 равляющими входами, входы всех магниторезистивных элементов объединены и подключены к источнику питания, первые управляющие входы одноименных ключей разных групп присоединены к соответствующим координат20 ным шинам Х, вторые управляющие входы ключей каждой группы подсоединены к соответствующим координатным шинам У, выходы ключей каждой группы связаны с соответствующими выходными шинами.

Запоминающее устройство^,^^^^<^^г1ая inrilh7jio-k;x::;; tpfg Запоминающее устройство^,^^^^<^^г1ая inrilh7jio-k;x::;; tpfg 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике

Изобретение относится к технике стирания записи с магнитных носителей, таких, как жесткие и гибкие диски, магнитооптические диски, магнитные ленты и др

Изобретение относится к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии

Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти

 // 362347
Наверх