Запоминающий элемент

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЙИЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к ввт. сеид-ву— (22) Заявлено05.07.77 (21) 2503782/18-24 с присоединением заявки JA (23) Приоритет

«»63786$

Союз Соеетскик

Социапмстттческнк

Республик

2 (5т) М. Кл

G 11 С 1i/34

Гааударстаеииай комитет

Сааата Миииатроа СССР ао долам изааретаиий и открытий (43) Опубликовено15.12.78.Бюллетень Ph 46 (53) УДК 681.327 (45) Дата опубликования описания18.12.78 (72) Авторы изобретения

А. В. Приходько и А, А. Чеснис

Ордена Трудового Красного Знамени институт физики полупроводников АН Лнтсаской CCP (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАНМЦИЙ ЗЛЕМЕНТ

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть применено в качестве запоминаю<цего элемента или порогового переключателя.

Известны запоминающие элементы, выполненные на основе полупроводникового выпрямляющего контакта селен-селннид кадмия, в которых приконтактный слой селена легирован серебром f1f. Эти элементы не обеспечивают длитель><ого хранения информации, а увеличение числа и частоты обра- 1в щений при считывании вызывает ее исчезновение. Наиболее б>лизким к изобретению техническим решением является запоминающий элемент, содержащий герметичный корпус из изоляционного материала, внутри которого установлены токовые электроды, меж>5 ду которыми размегцены последовательно расположенные активный слой селена и слой селенида серебра, причем один из электродов, контактирукпций, например, с селенидом, выполнен обычно из золота, а другой --- щ из висмута и алюминия f2f. Известному запоминаюгцему элементу свойственна сравнительно быстрая де< р<>дания характеристик нри >ксплуатацин, к»>»<>а«<и <>бенно сильно проявл>нтся прн раги>«в р< жиме порогового стабильного переключения, что приводит к постепенному увеличению сопротнвлепия элемента, а в конечном итоге — — к выходу его из строя.

Цель изобретения — — повышение надежности. В предложенном элементе это достигается тем, что он содержит наполнитель, например селеновый, размещенный внутри герметичного корпуса. Кроме того, в нем токовые электроды выполнены из физически и химически нейтрального по отношению к селениду серебра н селену тугоплавкого материала, например вольфрама.

На чертеже показан пр<"дложенный запоминающий элемент.

Он содержит два токовых электрода и 2, между которыми размещены слои селена;3 и селенида серебра 4, и наполнитель 5, размещенный внутри герметичного корпуса 6 из изоляционного материала. К электродам 1 и 2 подключены ток»проводы

7и8.

Работа запоминающего элемента основана на изменении его сопротивления, которое происходит из-за образования илн соответственно разрушения пр<>н»дншнх канал»в в се.ц не при в<>:<д«й<.твин персключа><»>«<.о напряжения. fit,< т» .<ап<>л<нн<»<>щ><й ()378(>5

Составитель (.. Самуневич

Редак>ор ?1 Тюрина Текреа О.. (угоиаи Корректор > Кравченко

:тала i 124/42 Тира и (>?5 По.тнисн<н

Ilk i(4 14 I IH 1 o< ударствснного ком и гета (овсгз Министров 4 Сl

»о делам и>веретена>г и огкрьг>нй

31>З," Москва Ж Ю 1 а> нн кнн над т 4,%

Филиал III III 4113 ãåíã>, г. Ужгород. ул IIN>(лтн.>н, 4 элемент находится в исходном со((нянин (высокоомном). При воздействии нереклк>чающего напряжения положительной полярности (плюс на электроде !) его сопротивление уменьшается, и он постепенно переходит в крайнее низкоамное состояние, в котором остается также и после снятии переключающего напряжения.

В исходное состояние запоминающий элемент возвращается при воздействии импульсом напряжения определенной величины и длительности, но обратной полярности.

Состояние запоминающего элемента не меняется, когда на него воздействуют импульсами напряжения, амплитуда, длительность и частота следования которых меньше некоторых критических величин, что позволяет многократно читывать записаннук> информацию без ее регенерации.

Если в высокоомном состоянии прилож»дь к запоминак>щему элементу отрицательное напряжение амплитудой, равной или, больше определенной пороговой величины, он после некоторой задержки переходит также a"йизкоомное состояние. Однако после снятия цапряж(иия в данном случае элемент возвращаетгя в >(схг>анг>е состояние.

Форм цла пз(>бг>егс>(ия

l. Запоминан>н(нй элемент, содержащий герметичный корпус нз изг>ляционного материала; внутри которо(о уст ановлены токовые электроды, между которыми размещены последовательно расположенные активный слой селена и слой.селенида серебра, отличаи>бийся тем, что, с целью повышения надежности элемента, он содержит наполнитель, например селеновый, размещенный внутри герметичного корпуса.

2. Запоминающий элемент по и. 1, отличаи>щийся тем, что токовые электроды выполнены из,физически и химически нейтрального по отношению к селениду серебра и селену тугоплавкого материала, например вольфрама.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

«(м I. Авторское свидетельство СССР № 148277, кл. (..> 11 С 11/34, 1961.

2. Авторское свидетельство СССР № 368646, кл. Ci 11 С I!/34, 1970.