Способ получения омического контакта
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А"-В^' п-типа путем нанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кислородсодержащей среде, отличающийс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190-220°С в течение 3-4 мин.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 1 21/283
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2335331/25 (22) 16.03.76 (46) 15,12.92. Бюл. № 46 (72) В.Д.Рыжиков, В.К,Комарь, Е.М.Адольф и О.П.Вербицкий (53) 621.382(088. 8) (56) Файнер M.Ø. и др. Получение омических контактов на монокристаллах сульфида кадмия электролитическим осаждением индия. — Физика и техника полупроводников, 1969, т. 3, ¹ 1111, с. 1735.
Патент Японии № 35238, кл. 99(5) J 42, опублик. 1972.
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, а более конкретно к способам получения омических контактов на полупроводниковых подложках.
Известны способы получения омических контактов Ho" монокристаллах А -В
И Vl путем электролитического нанесения индия, Известны также способы получения омического контакта на подложке из полупроводниковых соединений А -В п-типа
И Vl путем нанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кислородсодержащей среде, приводящей к улучшению качества получаемого контакта.
Однако механическая прочность контакта, полученного таким способом, невысока.
Целью изобретения является обеспечение механической прочности омического контакта. Ж 698450 Al (54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А — В и-типа путем
Л VI нанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кислородсодержащей среде, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре
190 — 220 С в течение 3 — 4 мин, Поставленная цель достигается тем, что на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 — 220 С в течение 3 — 4 мин.
Наличие второго слоя металла обеспечивает в процессе термообработки необходимые условия, при которых индий, находясь в жидкой фазе, активно диффундирует в полупроводник. Температура плавления металла второго слоя существенно выше температуры термообработки, поэтому наличие второго слоя препятствует коагуляции индия и обеспечивает сохранение равномерного металлического покрытия после завершения термообработки.
Участие кислорода в процессе термообработки приводит к образованию ряда окисных соединений (CdO или 2пО, 1п20з, А920), сплав которых образует смешанные тройные соединения типа Zn (1пОг)г, что обеспечивает высокую механическую прочность контакта.
698450
Составитель В.Рыжиков
Редактор О.Филиппова Техред М.Моргентал Корректор В.Петраш
Заказ 563 Тираж Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
Выбор указанных материалов в сочетании с подобранным режимом термообработки обеспечивает возможность подпайки выводов, Контакты, полученные предложенным способом, являются омическими и их механическая прочность дает возможность выдерживать усилие на разрыв, прилагаемое к -> подпаянным выводам, до 2 кг.
