Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100)

 

Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100) на кристаллы, стороны которых ориентированы по направлениям <110>, с помощью локального анизотропного травления, представляющая собой совокупность прямоугольников с фигурами упреждения на вершинах прямых углов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных кристаллов, фигуры упреждения из защитной пленки на вершинах четырех ближайших углов соседних кристаллов представляет собой систему полосок, ориентированных по направлениям сторон кристаллов <110> и соединенных таким образом, что образуют крестообразную фигуру с центром, равноудаленным от вершин четырех ближайших углов соседних кристаллов, с лучами, расположенными в промежутках между кристаллами, причем каждый из лучей соединен полоской только с одной из вершин прямых углов кристалла перпендикулярно лучу и параллельно одной из сторон кристалла, а длина и ширина полоски соответствуют глубине травления пластин.