Дешифратор

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в микросхемах памяти с резервированием . Цель изобретения - расширение области применения за счет использования дешифраторов в схемах памяти с резервированием. Поставленная цель достигается за счет введения в каждый логический блок элемента памяти (ЭП). Использование дешифратора в ППЗУ позволяет осуществить постоянную блокировку части формирователей выборки, выходы которых связаны со строками или разрядами с дефектными ЭП. Информация будет считываться из резервных частей накопителя. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТ ИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

SU„, 1399 1 51> 4 G 11 С 11/40, 8/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

Вс..

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4 154427/24-24 (22) 01 ° 12,86 (46) 30 05.88. Бюл. В 20 (72) С.А. Фастов и С.А. Королев (53) 681.327.66(088.8) (56) Патент США У 4365319, кл. 365-200, опублик. 1982.

Патент США В 4130889, кл. 365-96, опублик. 1978. (54) ДКШИФРАТОР (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в микросхемах памяти с резервированием. Цель изобретения - расширение области применения эа счет использования дещифраторов в схемах памяти с резервированием. Поставленная цель достигается за счет введения в каждый логический блок элемента памяти (ЭП). Использование дешифратора в ППЗУ позволяет осуществить постоянную блокировку части формирователей выборки, выходы которых связаны со строками или разрядами с дефектными

ЭП. Информация будет считываться иэ резервных частей накопителя. 2 ил.

1399817

Перед началом эксплуатации микросхемы памяти с резервированием необходимо произвести программирование де- 45 шифратора при повышенном напряжении питания. Для этого на входе 6 устанавливается напряжение, близкое к напряжению питания, которое через плавкую перемычку 14 элемента 3 поступает на вход 7 элемента И (фиг. 2) ° В результате диод 10 закрывается и не влияет на дальнейшую работу дешифратора в режиме программирования. На адресные входы 4 пооче- 55 редно подаются адреса исправленных строк основного накопителя микросхемы памяти. При поступлении такого адреса катоды всех диодов 1О одного

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в микросхемах памяти с резервированием.

Цель изобретения — расширение области применения за счет возможности использования дешифратора в схемах памяти с резервированием.

На фиг. представлена блок-схема предлагаемого дешифратора; на фиг. 2вариант его схемотехнической реализации, Дешифратор содержит элементы И 1, формирователи 2 выборки, элементы 3 памяти, входы элементов И 1 являются адресными входами 4 дешифратора, а выходы формирователей 2 — выходами

5 дешифратора. Входы программирования всех элементов 3 памяти объеди- 20 иены и являются входом 6 управления режима дешифратора, выход элемента 3 памяти соединен с одним из входов

7 элемента И 1. Элемент И 1, формирователь 2 выборки и элемент 3 памя- 25 ти образуют логические блоки 8, колки чество которых N = 2, где п — разрядность дешифрируемого адреса, так как на адресные входы 4 поступает прямой и инверсный код адреса.

Элемент И (фиг. 2) состоит из ограничительного резистора 9, один вывод кОторого подключен к источнику питания, а другой — к анодам диодов !0 диодов 11; формирователь 2 выборки выполнен на тиристоре 12; элемент 3 памяти состоит из транзистора 13, плавкой перемычки 14, транзистора 15, стабилизатора 16.

Дешифратор работает следующим об- 40 разом. иэ элементов И 1 оказываются под высоким потенциалом. Высокий потенциал с резистора 9 поступает на вход формирователя 2, выполненного на тиристоре 12, который включается и поднимает напряжение на базе транзистора 15 элемента 3 памяти. Затем на вход 6 подается высокое программирующее напряжение, при котором открывается стабилитрон 16 и транзистор 13. Транзистор 15 открывается, и его коллекторный ток осуществляет пережигание перемычки 14.

Во всех остальных блоках 8 хотя бы на одном из входов 4 сказывается низкий потенциал, поэтому в них транзисторы 15 остаются закрытыми. Таким образом, после проведения программирования во всех блоках 8, соответствующих исправленным строкам, плавкие перемычки 4 будут пережжены, а микросхема готова к работе.

В рабочем режиме на вход 6 подается низкое напряжение. При этом транзисторы 13 и 15 всегда закрыты и не оказывают влияния на работу дешифратора. Низкое напряжение с входа

6 через плавкие перемычки 14, которые остались в наличии только в блоках 8, соответствующих неисправным строкам накопителя, поступает на катоды диодов 10. Эти диоды открываются, на выходах элементов 1 устанавливается низкое напряжение независимо от того, какой код имеется на их адресных входах 4. Тиристоры 12 выключены, а на выходах 5, соответствующих неисправным строкам, установлено постоянное низкое напряжение невыборки.

В блоках 8, соответствующих исправным строкам, вход 7 находится под плавающим потенциалом (перемычка 14 пережжена, транзистор 15 закрыт), который не оказывает влияния на работу дешифратора. Для устранения влияния емкостных связей вход 7 можно подключить через резистор большого номинала к шине питания.

Элемент И 1 и формирователь 2 выборки исправной строки в рабочем режиме работают так же,как и в режиме программирования,но при нормальном напряжении питания. Высокое напряжение на выходе 5 означает выборку данной строки.

1399817

Формула изобретения

Дешифратор, содержащий логические блоки, каждый из которых состоит из элемента И и формирователя выборки, выход которого является выходом дешифратора, а вход соединен с выходом элемента И, входы которого являются адресными входами дешифратора, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения области применения за счет возможности использования дешифратора в схемах памяти с резервированием, каждый из логических блоков содержит элемент памяти, вход выборки которого соединен с выходом соответствующего формирователя выборки, выход элемента памяти соединен с одним из входов соответствующего элемента И, а входы программирования элементов памяти объединены и являются входом управления режима дешифратора °

1399817

8,Л,М 4;4„Лл

Составитель Л. Амусьева

Техред М.Ходанич

Корректор А. Тяско

Редактор В. Ковтун

Заказ 2671/52

Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4