Дешифратор строк для запоминающего устройства
Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении интегральных микросхем памяти. Целью изобретения является расширение области применения дешифратора за счет возможности использования его при изменении питающего напряжения. Для достижения этой цели в дешифратор введен формирователь уровня выбранной строки, а в каждый элемент И дешифратора - ограничительный резистор и два диода смещения. При этом изменения напряжения питания, связанные с выборкой микросхем памяти,не будут влиять на значение напряжения на выходах дешифратора и не могут быть причиной ненадежной работы микросхемы памяти. 1 ил. с fS
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
А1
„,SU„„1285531
Ц11 4 G 11 С 8/00
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3868539/24-24 (22) 19 ° 03.85 (46) 23.01.87. Бюл. № 3 (72) М.О.Ботвиник и Ю.Н.Еремин (53) 681.327.66 (088 ° 8) (56) Авторское свидетельство СССР
¹ 117 1849, кл . G 11 С 8/00, 1983.
Патент ФРГ № 2534736, кл. Н 03 К 13/25, опублик. 1976, (54) ДЕШИФРАТОР СТРОК ДЛЯ ЗАПОИ4НАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении интегральных микросхем памяти. Целью изобретения является расширение области применения дешифратора за счет возможности использования его при изменении питающего напряжения. Для достижения этой цели в дешифратор введен формирователь уровня выбранной строки, а в каждый элемент И дешифратора — ограничительный резистор и два диода смещения. При этом изменения напряжения питания, связанные с выборкой микросхем памяти,не будут влиять на значение напряжения на выходах дешифратора и не могут быть причиной ненадежной работы микросхе мы памяти. 1 ил.
1285531
И 3обреTpHHp относится к Вычисли тельной технике и может быть исполь.— зована при построении интегральных микросхем памяти.
1!ель изобретения — расширение области применения дешифратора за счет обеспечения возможности использования при изменении питающего напряжения.
На чертеже изображена схема де- 10 шифратора.
Дешифратор содержит первую 1 и вторую 2 группы элементов И-НЕ, элементы И 3, формирователь 4 уровня выбранной строки. Каждый элемент И состоит из ключевого многоэмиттерного транзистора 5, усилительного транзистора 6, первого 7 и второго 8 ограничительных резисторов, первого
9 и второго 10 диодов смещения. На схеме показаны также входы 11 и выходы 12 дешифратора, шина 13 питания, управляющий вход 14, шины 15 дешифрации °
Дешифратор строк для запоминающего устройства работает следующим образом.
Если на входе 14 уровень напряжения равен уровню логического нуля, то элементы И-НЕ 1 и 2 выключены, выключен также формирователь 4 уров-. ня выбранной строки, и напряжение на всех шинах 15 дешифрации соответ ствует уровню выходного напряжения логической единицы элементов И-НЕ 1 и 2. При этом напряжение на базе транзистора 6 равно U „ „, а напряжение на выходах 12 равно U „„-Б,я, где Б  — падение напряжения на пет
40 реходе эмихтер — база транзистора 6.
Если на вход 14 подан уровень логической единицы, то в соответствии с уровнями напряжения на адресных входах 11 происходит установка элементов И-НЕ 1 и 2 в закрытое или от45 крытое состояние, причем если первый инвертор открыт, то второй закрыт, и наоборот ° Следовательно, на одних шинах 15 дешифрации будет низкий уровень напряжений, на других— высокий. Формирователь 4 обеспечивает на подключенных к нему эмиттерах транзисторов 5 некоторое постоянное напряжение U относительно шины нулевого потенциала. При этом возможны два режима работы:
1. "Строка выбрана". В этом режиме на всех эмиттерах транзистора 5
2 высокий уровень напряжения (напряжение на них выше напряжения на выходе формирователя 4). При этом напряжение на базе транзистора 6 в установившемся режиме равно
I тб ч я -эВ т5: 0 9 где U Ä вЂ” напряжение на выходе формирователя 4, U;„ — падение напряжения на переходе база — эмиттер транзистора 5;
Э9 — падение напряжения на диоде 9.
Напряжение на выходе 12 при этом равно
2. "Строка не выбрана". В этом режиме хотя бы в одном из эмиттеров транзистора 5 низкий уровень напряжения (ниже выходного напряжения формирователя 4) за счет протекания тока по цепи: +U „, резистор 7, диод 9, резистор 8, коллектор — эмиттер транзистора 5, открытые выходы . элементов И-НЕ, шина нулевого потенциала. Установившееся значение напряжения на базе транзистора 6 равно
ПБт =П +П 3 ать +П б э где U — уровень напряжения на выходе элемента И-НЕ во включенном состоянии, 1
Напряжение на выходе 12 при этом равно !
1 11 о
32, 8тб Зотб Д
Из рассмотрения работы дешифратора строки для запоминающего уст.— ройства вытекает, что кратковремен-, ные и быстрые изменения напряжения питания в режиме "Строка выбрана" равны и не могут оказать влияния на напряжение на выходе 12 и поэтому не могут быть причиной ненадежной работы микросхемы памяти.
Формула и з обретения
Дешифратор строк для ° запоминающего устройства, содержащий первую и вторую группы элементов И-НЕ, элементы И, каждый из которых состоит из ключевого многоэмиттерного транзистора, усилительного транзистора и первого ограничительного резистора один вывод которого подключен к базе, à другой — к коллектору уси1285531
I 1
Составитель А.Дерюгин
ТехредЛ.Олейник Корректор М.Самборская
Редактор А.Шишкина
Тираж 589 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Заказ 7532/54
Производственно-полиграфическое предприятие, r.Óàãîðîä, ул.Проектная,4 лительного транзистора и к шине питания, эмиттер усилительного транзистора является выходом дешифратора строк, первый вход каждого элеМента И-НЕ второй группы соединен с выходом соответствующего элемента И-НЕ первой группы, вход которого является входом дешифратора строк, выходы элементов И-НЕ соединены с эмиттерами ключевых многоэмиттерных транзи- 10 сторов элементов И, о т л и ч а ю — . шийся тем, что, с целью расширения области применення за счет обеспечения возможности использования при изменении питающего напряжения, в него введен формирователь уровня выбранной строки, вход которого соединен с вторыми входами элементов И-НЕ и является управляющим входом дешифратора строк, выход соединен с дополнительным эмиттером ключевого многоэмиттерного транзистора, а в каждый элемент И введены первый и второй диоды смещения, аноды которых соединены соответственно с базой и эмиттером усилительного транзистора, а катоды — соответственно с базой и коллектором ключевого многоэмиттерного транзистора, и второй ограничительный резистор, вы", воды которого соединены с катодами диодов смещения.
