Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (RU)
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления межсоединений с пониженным значением сопротивления.Технология способа состоит в следующем: методом электронно-лучевого испарения наносят нижний слой хрома толщиной 5-20 нм со скоростью осаждения 0,1 нм/с при давлении 10-9 мм рт.ст., затем наносят слой меди толщиной 450 нм со скоростью осаждения 0,5 нм/с, затем верхний слой хрома толщиной 5-30 нм со скоростью осаждения 0,1 нм/с с последующим отжигом при температуре 400°C в атмосфере Ar-Н2 в течение 30 мин.
Способ производства полножирной сои "ЙАЛТ" // 2769570
Изобретение относится к пищевой и кормовой промышленности. Предложен способ производства полножирной сои.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов из силицида вольфрама с пониженным значением контактного сопротивления.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления многослойных проводников с пониженным значением контактного сопротивления. Согласно изобретению многослойный контакт Au/Pd/Ni/Ge формируют путем последовательного осаждения пленки Ge толщиной 20 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью осаждения 3 нм/с, пленки никеля Ni толщиной 15 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью роста 1 нм/с, последующим осаждением слоя Pd толщиной 50 нм при давлении 1*10-5 Па, со скоростью осаждения 0,5 нм/с, и Au толщиной 100 нм, и термообработкой при температуре 450°С в течение 2,5 мин в атмосфере форминг газа.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления изолирующего слоя с пониженным значением тока утечки. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, изолирующего слоя, отличающийся тем, что изолирующий слой формируют выращиванием слоя окисла на подложке InР р-типа проводимости с уровнем легирования 8*1017 см-3 путем реактивного распыления пластины InР n-тип 0,002 Ом*см при давлении 3-10-5 Па и напуском кислорода О2 давлением 13 Па, при плотности тока на катоде 0,5 мА/см2, плотности магнитного потока 0,015 Тл, температуре подложки 70°С осаждением со скоростью 2,5 нм/мин, с последующим отжигом при температуре подложки 250°С в атмосфере азота N2 в течение 35 мин.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления структур с низкой дефектностью. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния с ориентацией (100), (111) формируют гетероструктуру GeSi нанесением германия на кремний при давлении 2*10-5 Па, толщиной аморфного слоя пленки 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с с последующим воздействием единичного импульса электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и последующим электроннолучевым отжигом при 0,8 Дж/см2 в атмосфере водорода в течение 12 минут при температуре 325°С.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диоксида кремния с пониженными значениями токов утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей прибора, затворного оксида на полупроводниковой подложке, отличающееся тем, что формирование затворного оксида проводят осаждением пленки SiO2 из плазмы при отношении концентрации N2O/SiH4, равным 11, и скорости потока газа 3 дм3/мин, при скорости осаждения пленок SiO2 0,5 нм/с, и температуре 200°С, и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин.
Изобретение относится к виноградной отрасли. Способ защиты виноградных растений от вымерзания включает в себя получение и выборку гравиленовых кубиков, которые использовались ранее при выращивании огурцов, посадку виноградных саженцев в кубиках гравилена, предварительно увлажненных, изготовление посадочных ям ямокопателем, высадку вегетирующих саженцев в ямку, причем с целью зашиты виноградных растений от вымерзания, улучшения условий произрастания растений под саженец укладывается 10 кг торфа + 40 грамм Грин ГО 8-16-24+10, при этом торф вместе с гравиленом образуют утепляющую полость, с помощью которой создается на корнештамбе и корнях изолирующая прослойка из гравилена, который укладывается вокруг штамба саженца, а также с помощью которой улавливается парообразная влага, восходящая от грунтовых вод, подтягиваемая торфом и гравиленом в зону корней, а теплоизоляционные свойства гравилена в зимний период снижают темпы промораживания корнештамба и корней виноградного куста, что сохраняет их от вымерзания.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает формирование аморфного кремния a-Si осаждением со скоростью 0,5 нм/с в индукционно-плазменном реакторе из смеси РН3-SiH4, при частоте 13,55 МГц, напряжении 250 В, температуре подложки 300°С, давлении газа 6,6 Па, скорости потока смеси 5 см3/мин и отношении концентраций PH3/SiH4=10-6-10-3.
Изобретение относится к биотехнологии. Изобретение представляет собой питательную среду для укоренения побегов винограда in vitro, содержащую агар-агар, сахарозу, азотнокислый калий, азотнокислый аммоний, сернокислый магний, хлористый кальций, фосфорнокислый калий, мезоинозит, йодистый калий, борную кислоту, сернокислый цинк, сернокислый марганец, сернокислую медь, хлористый никель, никотиновую кислоту, пиридоксин, тиамин, сернокислое железо, трилон, уголь активированный, воду.
Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой способ получения подвойного материала (Л-2) в условиях in vitro, черенкование пробирочных растений и высадку одноузловых черенков на агаризованную питательную среду, содержащую макро- и микроэлементы и витамины на основе прописи питательной среды, Fe-хелат, агар-агар, сахарозу, при этом в питательную среду добавляют высокую концентрацию солей (Хелат - Fe 50 мг/л и Ca(NO3)2 1000 мг/л) и для растительной активности растения пересаживают на питательную среду содержанием 1 мг 6 БАП и 0,05 г/л янтарной кислоты, при этом концентрация микросолей: ZnSO4*7H2O - 4.3 мг/л и Н3ВО3 - 3.1 мг/л, источник кальция тоже изменен в форме (от CaCl2*2H2O на Ca(NO3)2*4H2O), пересадку проводят через 3 недели, при размножении особое внимание уделяют стекловидности или сверховодненности тканей, при этом оптимальными условиями культивирования Л-2 являются: температура 22-26 градусов, освещенность 2500-5000 лк, при 16-часовом фотопериоде.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочного транзистора с пониженным значением токов утечек. Способ изготовления тонкопленочного транзистора включает процессы формирования областей стока, истока, затвора, подзатворного оксида, пленки аморфного кремния на стеклянной подложке.
Оптимизированная питательная среда для подвойного материала ВСВ-1, ВСЛ-1 и ВСЛ-2 в условиях in vitro // 2748968
Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой способ получения подвойного материала (ВСВ-1, ВСЛ-1 и ВСЛ-2) в условиях in vitro, черенкование пробирочных растений и высадку одноузловых черенков на агаризованную питательную среду, содержащую макро- и микроэлементы и витамины на основе прописи питательной среды, Fe-хелат, агар-агар, сахарозу, при этом в питательную среду добавляют высокую концентрацию солей (Хелат - Fe 50 мг/л и Са(Cl)2 1000 мг/л) и для растительной активности растения пересаживают на питательную среду содержанием 1 мг 6 БАЛ и 08 мг/л глицина, при этом концентрация микросолей: ZnSO4*7H2O - 4.3 мг/л и Н3ВО3 - 3.1 мг/л., источник кальция тоже изменен в форме (от CaCl2*2H2O на Ca(NO3)2*4H2O), пересадку проводят через 3 недели, при размножении особое внимание уделяют стекловидности или сверховодненности тканей, при этом оптимальные условия культивирования ВСВ-1, ВСЛ-1 и ВСЛ-2 являются: температура 22-26 градусов, освещенность 2500-5000 лк, при 16-ти часовом фотопериоде.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика полевого транзистора с пониженным значением тока утечки.
Изобретение относится к области биотехнологии и предлагает собой способ создания универсальной оптимизированной питательной среды, при котором в питательной среде Мурасиге-Скуга снижается концентрация 6-БАП с 0,5 мл/л до 0,35 мл/л с последующим стимулированием продуцирования цитокининов растениями, содержанием индолилуксусной кислоты (ИУК) 0,2 мг/л при одновременном снижении концентрации углеводного компонента (сахарозы) до 25 г/л.
Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой питательную среду для укоренения побегов винограда in vitro, содержащую агар-агар, сахарозу, азотнокислый калий, азотнокислый аммоний, сернокислый магний, хлористый кальций, фосфорнокислый калий, мезоинозит, йодистый калий, борную кислоту, сернокислый цинк, сернокислый марганец, сернокислую медь, хлористый никель, никотиновую кислоту, пиридоксин, тиамин, сернокислое железо, трилон, уголь активированный, воду.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ осуществляется следующим образом: на пластины р-Si (10 Ом*см) с ориентацией (100), наносят слой кремния n-типа проводимости толщиной 80 нм и последовательно формируют 2-слойную структуру (SiO2+Si3N4), SiO2 толщиной 38 нм, нитрид кремния Si3N4 толщиной 24 нм, по стандартной технологии.
Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой способ получения укорененного подвойного материала ВСЛ-2 in vitro, включающий черенкование пробирочных растений и высадку одноузловых черенков на агаризованную питательную среду, содержащую макро- и микроэлементы и витамины на основе прописи питательной среды Мурасиге и Скуга, Fe-хелат, агар-агар, сахарозу, после этого побеги пересаживают в среду с высокой концентрацией солей, необходимых для стимуляции корнеобразования растений, которые систематизируют, в зависимости от химических свойств, в отдельные маточные растворы (Хелат - Fe 20 мг/л, KNO3 2000 и СаСI2 - 1500 мг/л), где побеги большого размера используют для укоренения, а меньшего пересаживают на размножение (содержанием 6 Бап 2,0 мг/л).
Способ бланшировки и сушки плодов // 2731580
Изобретение относится к пищевой промышленности. Способ бланшировки и сушки плодов предусматривает первичную подготовку плодов, бланшировку плодов в течение 3-5 мин в термальной воде, температура которой на выходе составляет 89-92°С.
Изобретение относится к пищевой промышленности, в частности к способам производства заменителей кофе. Способ включает подготовку сырья, его обжаривание, водное экстрагирование, отстаивание и упаривание.
Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой способ получения подвойного материала Гизела 5 и ВСЛ-2 в in vitro, включающий черенкование пробирочных растений и высадку одноузловых черенков на агаризованную питательную среду, содержащую макро- и микроэлементы и витамины на основе прописи питательной среды Мурасиге и Скуга, где полученные побеги пересаживают на питательную среду Мурасиге Скуга с большей концентрацией солей - Хелата Fe 50 мг/л и Ca(NO3)2 1000 мг/л, при этом побеги большого размера - 5-6 см - используют для размножения, а побеги меньшего размера пересаживают на питательную среду с содержанием 0,1 мг 6 Бап., при этом пересадки необходимо проводить через 3-4 недели, причем культуры со стекловидностью выбраковываются, а культивирование осуществляется при оптимальных условиях: температура - 22-26 градусов, освещенность - 2000-5000 лк, при 16-часовом фотопериоде.
Способ сушки зерна // 2728590
Изобретение относится к области сельского хозяйства. Предложен способ сушки зерна в складских помещениях, согласно которому сушку зерна осуществляют за счет тепла, исходящего от термальной воды, протекающей по трубам напольного отопления, которые уложены в пол при помощи бетонной стяжки.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов со слоем карбида кремния с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния после формирования областей стока/истока и осаждения слоя карбида кремния и сегнетоэлектрического материала структуру подвергают облучению электронами с энергией 6 МэВ, дозой 2⋅1018-3⋅1018 см-2, с последующей термообработкой в атмосфере водорода при температуре 970°С в течение 30 мин.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки. Сущность: на пластинах кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом⋅см выращивался слой термического слоя оксида 22 нм окислением в сухом кислороде при 1000°С.
Кормовая добавка для телят // 2714766
Изобретение относится к кормопроизводству, в частности к кормовой добавке для телят. Добавка содержит «Басулифор™-Ж» в количестве 10,0 мг/кг, который смешивают с минеральной добавкой, содержащей мел кормовой, соль кормовую и костную муку в соотношении 1:1:2, и растительной добавкой, включающей ромашку, подорожник и кормовой турнепс при соотношении 2:1:2, предварительно переработанной путем тщательного последовательного перетирания и смешивания.
Изобретение относится к области сельского хозяйства, в частности к садоводству. В способе травянистые черенки длиной 15 см объединяют в пучки по 20 шт.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора. Согласно изобретению способ изготовления полупроводникового прибора реализуется следующим образом: на подложках кремния р-типа проводимости формируют инверсный карман имплантацией ионов фосфора с энергией 150 кэВ, дозой 2,0*1013 см-2, с разгонкой в окислительной среде в течение 15 мин при температуре 1150°С и образованием слоя диоксида кремния, затем в инертной среде - 45 мин и имплантацией бора через слой диоксида кремния с энергией 150 кэВ, дозой 1,5*1013 см-2, с последующей разгонкой при температуре 1150°С в инертной среде в течении 90 мин.
Кормовая добавка для ягнят // 2704855
Изобретение относится к ветеринарии, в частности к кормовой добавке для ягнят. Добавка содержит "Биобактон" и "Бифидумбактерин", растворенные в воде при температуре 37°С, минеральную добавку, включающую глюконат кальция и активированный уголь, взятые в соотношении 2:1, и растительную добавку, содержащую цикорий, плоды шиповника, подорожник, ромашку, кормовой картофель, корень одуванчика, которые предварительно смешивают в смесителе в течение 20 минут в соотношении 2:2:2:2:2:0,5 соответственно.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления преобразователя солнечной энергии. Способ изготовления полупроводникового прибора со структурой с р, i, n слоями, включающий процессы легирования, при этом формирование i-слоя в p-i-n структуре осуществляют в три этапа: первый этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,3 нм/с, при ВЧ мощности 8 Вт, со скоростью потока SiH4 20 см3/с и давлении 27 Па; второй этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,6 нм/с, при ВЧ мощности 15 Вт, со скоростью потока SiH4 50 см3/с и давлении 45 Па, третий этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 1,0 нм/с, при ВЧ мощности 28 Вт, со скоростью потока SiH4 80 см3/с и давлении 65 Па, с последующим легированием i-слоя бором до 0,05×10-4% при соотношении (B2H6/SiH4) 10-4% в газовой смеси.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*1016 см-2 с энергией 250 кэВ при температуре 40°С.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности, качества и увеличение процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженной плотностью дефектов. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование поверх слоя оксида кремния нелегированного поликремния со скоростью 10 нм/мин при температуре 650°С, при расходе силана 10 см3/мин и водорода 22 л/мин, толщиной 400 нм и проведением ионного внедрения азота с энергией 1215 кэВ, дозой 5*1016-2*1017 см-2 при температуре подложки 100°С, с последующей термообработкой при температуре 450°С в течение 30 мин в форминг-газе.
Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой способ получения микроклубней картофеля in vitro, включающий черенкование пробирочных растений и высадку одноузловых черенков на агаризованную питательную среду, содержащую макро- и микроэлементы и витамины на основе прописи питательной среды Мурасиге и Скуга, Fe-хелат, агар-агар, сахарозу.
Изобретение относится к способам извлечения кремнезема из термальных вод и может быть применено в химической, нефтеперерабатывающей промышленности, в геотермальной энергетике. Предложен способ осаждения кремнезема из термальных вод, включающий обработку воды при постоянном электрическом токе и высокочастотном электрическом импульсе в электролизёре с алюминиевыми электродами.
Изобретение относится к реактору для непрерывного перемешивания жидких растворов и может быть использовано в промышленности, при производстве жидких продуктов: хозяйственных очистителей, этанола, пропилена, а также для очистки бензина.
Изобретение относится к контролю движения транспортных средств (ТС). Способ оперативного сопровождения и управления наземными ТС заключается в том, что на соответствующем ТС принимают навигационные сигналы со спутников глобальной системы радионавигации, формируют пакет информации с данными, преобразуют указанный пакет информации в сигнал для передачи по каналу сотовой системы связи в реальном масштабе времени через систему сотовой связи на ЦДП, где информацию периодически принимают от данного и от других ТС.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с высоким коэффициентом усиления. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости наращивают эпитаксиальный слой n-типа проводимости.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора. Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Способ изготовления легированных областей // 2654984
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления легированных областей с пониженной дефектностью. В способе изготовления легированных областей в исходные пластины фосфида индия для формирования легированной n-области проводят внедрение ионов кремния с энергией 400 кэВ, дозой 1*1014 см-2 при температуре 200°C, с последующим отжигом при температуре 750°C в потоке водорода в течение 5-15 минут.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. Технология способа изготовления полупроводникового прибора состоит в следующем: для формирования контакта в исходную подложку арсенида галлия n-типа проводимости с ориентацией (100) проводят ионное внедрение теллура с энергией 50 кэВ, дозой 1*1016 см-2, с последующим лазерным отжигом при длительности импульса 125 нс с плотностью мощности лазерного излучения 200 мВт/см2.
Способ получения напитка // 2648799
Изобретение относится к пищевой промышленности (общественное питание), а именно к составу для получения напитка. Для приготовления напитка в качестве основы используют 10 л молока коровьего, которое доводят до кипения, затем вносят 100 г сухого плиточного черного грузинского чая, настаивают 30 мин, вновь доводят до кипения и на слабом огне кипятят 10 мин.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения кремниевых пленок на сапфире с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры проводят отжиг подложки в атмосфере водорода в течение 2 часов при температуре 1250°C с последующим наращиванием пленок кремния пиролизом силана в атмосфере водорода при температуре 1000-1030°C в два этапа: сначала выращивают n+-слой кремния, легированный из PH3, с концентрацией примеси 1020 см-3, со скоростью роста 5 мкм/мин, затем наращивают n-слой кремния, легированный AsH3, с концентрацией примеси 4*1015 см-3, со скоростью роста 2,3 мкм/мин, с последующим термическим отжигом при температуре 600°C в течение 15 минут в атмосфере водорода.
Способ производства компота из яблок // 2644175
Способ производства компота из яблок включает подготовку и расфасовку плодов в банки с последующей их обработкой СВЧ- полем с частотой 2400+50 МГц в течение 2,0 мин. Затем плоды заливают сиропом температурой 98°С, повторно обрабатывают СВЧ-полем, нагревают содержимое банок до 92°С и герметизируют.
